安森美：攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎，並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電，正日益承受壓力。 為應對這些挑戰，產業正逐步轉向 800V 高壓直流 （HVDC） 架構。 …
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突破AI算力微縮瓶頸 科林研發深耕先進封裝與在地生態系 (2026.09.09)
半導體製造面臨功耗與異質整合的嚴峻挑戰。科林研發（Lam Research）在 2026 會計年度中，科林研發全球營收達 232 億美元，研發投資規模達 24 億美元，展現其在製程技術創新的深厚底蘊。科林研發台灣區總經理郭偉毅博士於 SEM…
UCIe標準化重塑Chiplet生態與ASIC經濟學 (2026.09.07)
標準化Chiplet絕非單純的封裝技術迭代，而是一場涉及設計方法論、代工模式、IP商業版權及供應鏈權力重組的典範轉移。…
算力天花板不再取決於奈米 先進封裝擴產將決定AI晶片命運 (2026.08.25)
在半導體產業過去數十年的發展歷程中，摩爾定律始終是算力競賽的最高指引——只要縮小電晶體尺寸，就能換取更高的效能與更低的能耗。然而，隨著先進製程邁向 2 奈米、進入環繞式閘極（GAA）架構與晶背供電（如 A16）的極限領域，物理邊際效益顯著遞…
超大規模資料中心重塑AI基礎設施 (2026.08.24)
為了增加資料傳輸的速度、距離和效率，AI生態系統正在探索射頻（RF）矽中介層技術，以實現互補式金氧半導體（CMOS）、雙極互補式金氧半導體（BiCMOS）與三五族材料的異質整合。…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
奈米碳管場效電晶體實現規模化單分子生物感測 (2026.08.20)
比利時微電子研究中心（imec）運用晶圓級生物場效電晶體（bioFET）方法，實現生物分子的即時偵測應用，為基因體學與蛋白質體學的高通量感測發展取得一大進展。…
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
光與磁性在原子級材料中產生新互動 量子光電研究出現新方向 (2026.07.21)
量子材料研究再傳新進展。科學家近期持續探索原子級厚度的二維材料，研究發現，光所產生的激子（Exciton）可與材料內部的磁性產生直接互動，為光、電與磁性整合的下一代元件技術開啟新的研究方向。這項成果也顯示，當材料厚度縮減至原子尺度後，可能展…
突破二維半導體檢測關鍵 臺灣發表臨場剖面掃描顯微檢測技術 (2026.07.19)
臺灣大學物理學系邱雅萍教授團隊，16日在國科會舉行記者會，發展其首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術」。該技術與師範大學物理學系藍彥文教授、林文欽教授，及新加坡國立大學李連忠教授合作，在先進二維半導體電晶體運作狀態下，以原子級空間解析度直接…
Intel 18A奪回主導權 代工雙雄爭霸台積電2奈米真的痛失江山？ (2026.07.16)
晶圓代工市場拋出震撼彈！根據投資銀行最新報告，英特爾（Intel）下一代處理器「Nova Lake」的生產布局出現大轉折。原先計畫高度仰賴台積電 2 奈米（N2）製程代工的運算晶粒，如今將有 80% 至 90% 轉回自家 Intel Fou…
ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
應材發表晶片製造新系統 加速先進封裝最佳化 (2026.07.01)
為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求，應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統，以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶（Epitaxy）系統、化學機械平坦化（CMP）與沉積系統、電子束系統（eBeam），挑…
IBM全球首發次奈米晶片技術 推動半導體產業未來10年發展 (2026.06.25)
IBM今（25）日發表全球首見的次奈米（Sub-1nm）晶片技術，並採用革新性的0.7奈米電晶體架構，對於面臨傳統晶片尺寸縮放物理極限的半導體產業來說，具有里程碑意義，並導入電腦、家用電器、通訊設備、交通運輸系統和關鍵基礎設施等領域，發揮至…
Nearfield完成3.8億美元D輪融資 創荷蘭deep-tech最大募資紀錄 (2026.06.23)
Nearfield Instruments 成功完成總額達 3.8 億美元（約 123 億新台幣）的 D 輪融資。本輪融資完成後，公司估值達 16 億美元， 是Nearfield 發展為半導體量測與檢測全球領導者的重要里程碑。 本輪融資由新…
imec突破鐵電記憶體技術 滿足AI時代海量資料與高密度需求 (2026.06.19)
本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展，鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體（FET）這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案…
英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術。 這項技術利用異…
艾司摩爾、台積電與imec合作實現12吋晶圓整合創新 (2026.06.16)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）攜手微影解決方案大廠艾司摩爾（ASML）與晶圓代工大廠台積電（TSMC），共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合…
突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)
法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合…