意法半導體新電池管理IC提升量測精度 加速全溫域電芯平衡 (2026.09.14)
全球半導體廠商意法半導體（STMicroelectronics, ST）的鋰電池管理 IC-- L9962整合12位元類比數位轉換器（ADC），並提供 70mA 電芯平衡電流，可提高電壓量測精準度並快速調整電芯電壓，有助維持良好的電池狀態。…
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以1005尺寸實現0.33W！ROHM開發出高抗突波晶片電阻 (2026.09.03)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）針對車載、工業、消費性電子以及安裝密度日益提高的AI伺服器等電子設備，開發出「SDR01系列」產品，在1005公制尺寸的抗突波晶片電阻中實現了0.33W業界最高等級※額定功率。 近年來，隨著電子設備…
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM，簡稱 ST）推出 L98GD8E 48V 車用前級驅動器，絕對最大額定值（AMR）達 75V。L98GD8E 是目前唯一同時符合適用於 48V 電氣系統的…
高耐用性臨床醫材連接器的工程設計 (2026.07.31)
現代醫療器材對於工程設計的要求極高。一款高效能醫療器材連接器必須能夠承受反覆消毒過程中的化學和熱應力考驗，同時提供完美的電氣導通性。 隨著醫療器材日益複雜，高密度系統越來越需要標準型錄零組件無法提供的客制化解決方案。業界向著更高的電路密度、…
突破二維半導體檢測關鍵 臺灣發表臨場剖面掃描顯微檢測技術 (2026.07.19)
臺灣大學物理學系邱雅萍教授團隊，16日在國科會舉行記者會，發展其首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術」。該技術與師範大學物理學系藍彥文教授、林文欽教授，及新加坡國立大學李連忠教授合作，在先進二維半導體電晶體運作狀態下，以原子級空間解析度直接…
連續時間Σ-Δ ADC特性與工業測量分析 (2026.07.16)
本文闡述連續時間（CT）Σ-Δ ADC的原理和應用，並分析其相較於離散時間（DT）版本的優勢與不足，文中並利用ADI的訊號鏈設計器評估此類ADC在各種應用場景下的性能和特性。…
ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
Aledia左擁微型顯示 右抱AI光傳 (2026.07.09)
Micro LED持續緩步前進，在智慧錶、透明顯示和車用顯示領域漸漸打開市場。而在AI當道的世界，Micro LED似乎又找到了另一個可以大顯身手的地方，也就是AI高速傳輸的領域，有機會進入矽光子光傳的供應鏈，成為在CPO架構中的一員，取代…
使用EMI濾波器強化電動車動力系統合規效益 (2026.06.23)
隨著電動車電子架構日益複雜，高功率逆變器所產生的電磁干擾已成為電磁相容性（EMC）認證的重要挑戰。透過標準化車規EMI濾波器設計，可有效抑制雜訊、縮短開發週期，並提升動力系統合規效率。…
英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術。 這項技術利用異…
Sony與imec推出高密度晶背連接模組 實現新一代3D晶片整合 (2026.06.17)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）與索尼（Sony）共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組，這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件。 該…
[COMPUTEX] 迎向全新30年：USB技術從混亂走向無處不在 (2026.06.02)
2026年正值USB 1.0規格問世30週年紀念。這項由英特爾（Intel）等企業發起的技術，如今已成為個人電腦歷史上最成功的I/O介面，全年度出貨量高達40至50億個。USB-IF總裁暨營運長Jeff Ravencraft與技術長Rahm…
突破200奈米內連間距！imec攜手EV集團展示晶圓級異質接合技術 (2026.05.31)
於本周舉行的2026年IEEE電子元件與技術會議（ECTC）上，比利時微電子研究中心（imec）攜手EV集團（EVG）共同發表一項發展穩健且產量高的晶圓級異質接合技術，成功在一款具備可佈線內連導線的測試元件上展示200奈米的銅內連墊片間距。…
專為可攜式電源而設計： 英飛凌CoolGaN BDS 40 V G3系列可縮減82%的占板面積 (2026.05.28)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展了其CoolGaN BDS 40 V G3雙向開關（BDS）系列，推出了兩款新產品：IGK048B041S和IGK12…
華為於IEEE ISCAS發表τ導向定律與LogicFolding架構 (2026.05.26)
在25日上海舉辦的2026年「IEEE國際電路與系統研討會（ISCAS 2026）」上，華為海思半導體提出全新一項全新的「τ（韜/Tau）導向定律」，以取代傳統的摩爾定律（Moore's Law），企圖為半導體發展開闢一條新的技術路徑。 這…
為中壓汽車架構選擇48伏特連接器須知 (2026.05.20)
由於車載系統因法規與電子需求轉向48V中電壓架構，本文探討48伏特降本減重的優勢、連接器選型策略、防電弧安全機制，以及解決方案。…
ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC…
設計汽車過壓保護原型 (2026.05.18)
本文介紹如何使用拋負載保護電路來防止原型製作過程中出現意外的過壓/反向電壓情況。這種簡單的電路能夠在因一時疏忽而接錯電源時，保護電路不受損壞，進而避免數小時的重工時間。…
IC設計整合多效能實現智慧行動電源 (2026.05.15)
本文介紹一種採用ADI產品設計的智慧行動電源充電器，其彈性設定能夠接受多種輸入電源，並在智慧管理電池充電的同時為負載供電。…
SiP技術：克服製造瓶頸 掌握異質整合關鍵 (2026.05.14)
系統級封裝（SiP）技術正快速獲得市占率的成長。…