AI供電邁向800V SiC、GaN搶進資料中心 (2026.09.10)
AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高，傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力，800V高壓直流（HVDC）、固態變壓器（SST）與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構，SiC、GaN也從電動車與…
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新唐針對工業控制應用推出全新Cortex－M0 MCU NUC029系列 (2019.03.04)
新一代NUC029系列是針對工業控制設計的32位元微控制器產品，以ARM Cortex-M0為核心，寬工作電壓2.5V~5.5V設計，具備高可靠性和高抗干擾能力(ESD高達HBM 7KV / EFT 4.4KV)，超工業級工作溫度-40°C…
英飛凌推出整合 IGBT 與二極體功能的單晶片 (2015.07.17)
（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）推出 6.5 kV 功率模組，在單一晶片上整合 IGBT 與飛輪二極體功能。新款 RCDC（具備二極體控制功能的逆導 IGBT）晶片，適合用於現代化高速火車與高效能牽引式機械、未來的 HVDC …
英飛凌參加德國紐倫堡PCIM 2015展會 (2015.05.21)
（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組合，此外也將展出GaN（氮化鎵）產品，以及許多源自英飛凌「從產品思維到系統洞察」策略的創新解決方案。英飛凌此次…
英飛凌全新高功率模組平台 免權利金授權業界封裝設計 (2014.12.16)
英飛凌科技（Infineon）推出兩款全新功率模組平台，提升1200V 至6.5kV 電壓等級中高壓 IGBT 的效能。為讓更多廠商享有此全新模組的效益，英飛凌以免權利金的方式，授權此設計給所有 IGBT 功率模組供應商。採用此平台概念的首…
Infineon Technologies AG today announced the launch of two new power module platforms designed to improve the performanc…
Littelfuse推出瞬態抑制二極體陣列提升封裝效能 (2014.10.21)
緊湊型倒裝式封裝在僅容納1個通道的空間提供5個通道的ESD保護，其性能較傳統封裝提高5倍，能提供高ESD抗擾能力和優越保護。 Littelfuse公司推出了SP1012系列瞬態抑制二極體陣列（SPA二極體）。這款小體積、5通道6.5pF、1…
英飛凌推出全新 4.5 kV 電壓等級模組 (2013.08.28)
可靠耐用、低導通和切換損耗、高功率密度，均為英飛凌新推出的 4.5kV IHV 模組的優異特性。模組採用高度絕緣的 6.5 kV 外殼，提供更多的空間距離及沿面距離，強化的保護性，能在嚴苛的環境中使用。全新 IHV 模組進一步提升最佳化的散…