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搜尋「7奈米」,共 98

經過兩年下跌,AP-SoC晶片組市場出貨量將在2024年年增9%。根據Counterpoint Research的報告,主要成長動力由於蘋果和高通旗艦機款從4-5奈米移轉到3奈米,先進製程是成為關鍵成長動能。台積電做為晶圓代工龍頭持續受惠。

於本周舉行的2023年IEEE國際內連技術會議(IITC)上,比利時微電子研究中心(imec)展示其實驗成果,首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上可超越目前業界使用的金屬導線材料銅(Cu)和釕(Ru)。例如,厚度為7.7奈米的鎳鋁二元合金

本文探討VLC的應用,包括VLC定位系統的原理,並討論最新的器件如何提供一條風險極小的設計路徑。

半導體解決方案供應商瑞薩電子宣佈,針對高詢問度的矽智產權(intellectual property, IP),擴大其授權陣容,這些授權讓設計人員能夠在瞬息萬變的產業中,滿足客戶各式各樣的要求。自今日起,客戶就可以使用下列IP,諸如先進的7

全球NOR Flash記憶體市佔第一的台灣記憶體製造商旺宏電子,日前在法說會上表示,2018年高容量NOR Flash的價格仍穩定上揚,但低階的NOR Flash產品則會有供過於求的狀況;另外,旺宏研發已久的3D ROM產品將有望在今年底量

由於3D NAND的演進、晶圓製程已發展到10奈米與7奈米技術、對於以材料驅動的3D 圖樣成形(Patterning)技術的需求日益增加、當地企業及跨國公司對中國的策略性投資不斷成長,以及OLED(有機發光二極體)顯示器被加速採用,這些重大

高達400萬高速像素擷取功能協助開發人員實現更大量的影像掃瞄、更明亮的設計影像與更大型的製品建構 德州儀器(TI)針對3D列印、3D機器視覺以及微影製程的應用推出兩款新型高解析DLP晶片組。新款晶片組內含DLP9000與DLP6500數位微

旺宏電子(MXIC)於日前宣佈,該公司由於製程技術研發成果順利,其生產製造的NOR型快閃記憶體,將跳過90奈米製程,直接導入至75奈米,超前原先時程規劃。採用75奈米新製程的產品將廣泛應用於網路通訊、電腦、消費電子與手持式裝置等應用市場。首

記憶體廠商南亞科技股份有限公司(南科),宣佈支援新世代Intel Centrino 2 Montevina筆記型電腦新處理器平台的南亞科技旗下Elixir DDR3 1066 SODIMM筆記型電腦專用記憶體正式登場。相繼推出容量1GB及2

通路品牌Elixir所推出之Elixir DDR3-1333桌上型記憶體模組,再度榮獲2008年台灣精品獎。繼2007年Elixir DDR2以卓越的品質及高性能表現榮獲第15屆台灣精品獎,今年Elixir更以高效能、高容量及低耗電量的El

華邦電子為因應該公司在中科十二吋晶圓廠之擴建與制程技術提升之需要,辦理新臺幣77億元五年期之銀行聯貸,於今6月4日由華邦電子公司董事長焦佑鈞及中國信託商業銀行總經理陳佳文共同主持聯合授信簽約典禮。 本聯貸案是由中國信託商業銀行、大眾商業銀行

全球第二大資訊展「Computex Taipei 2008」於6月6日圓滿落幕。今年的展會首度啟用南港展覽館,並與信義館同步展出,有1725家廠商參展,共4492個攤位,較2007年成長了53%。此外,根據台北市電腦公會統計,今年的展覽在五天內共吸引了達3萬4685名國外買主,且國內外參觀人次達10萬6517人,「Computex Taipei 2008」五天的展期中,至少創造了200億美元的商機。

力晶半導體宣佈內部自行結算之營收報告,2008年4月營收達新台幣51.12億元,較3月成長12.5%。據了解,力晶副總經理暨發言人譚仲民表示,由於70奈米製程已成為該公司的生產主力,在整體出貨量成長和標準型DRAM現貨價小幅回升的帶動下,力

KLA-Tencor推出全新的光罩檢測系統TeraFab系列,協助晶圓廠以靈活的配置方式檢測入廠的光罩是否存在污染物,免除產能的降低與生產風險的增加。TeraFab系列提供三種基礎配置方式,滿足邏輯晶圓廠、記憶體晶圓廠及不同世代光罩各式各樣

茂德與海力士間的次世代技術授權談判近期將出現進展。據了解,由於南韓政府放行,海力士可將技術移轉海外合作夥伴,因此茂德與海力士間的技術授權談判已重新開啟,未來茂德可望取得海力士先進的54奈米製程技轉。 南韓政府針對先進半導體製程移轉至海外技術

華邦電子即將參加由Global Sources所主辦的2008 IIC-China深圳(3/3-4深圳會展中)、上海(3/10-11上海世貿商城),屆時也將展出華邦兩大系列行動記憶體產品-低功率耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體,並推出一系列低功

奇夢達公司宣佈1GB和2GB的DDR3 SO-DIMM記憶體模組(Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶,以布局次世代的筆記型電腦市

DRAM以70奈米製程生產時,測試時間將增加40%。據了解,512Mb的DDR2毛利下跌,因此DRAM廠商為了降低生產成本,紛紛將製程導入70奈米,而產品線也開始轉向生產價格較高的1Gb DDR2。然而由於70奈米的1Gb DDR2所需測試