突破DRAM物理極限 鎧俠發表8層堆疊氧化物半導體通道電晶體技術 (2025.12.14)
記憶體廠鎧俠(Kioxia)日前宣布,已開發出極具堆疊潛力的氧化物半導體通道電晶體技術,這將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。該技術於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上發表,不僅證實了8層堆疊電晶…
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