2026 ISSCC聚焦台灣研發成果 產學合作打造技術亮點 (2025.11.25)
被譽為「IC 設計界奧林匹克」的 IEEE國際固態電路研討會（ISSCC）今年再度傳來捷報。面對全球超過千篇的投稿競爭，台灣共有11篇論文入選2026年ISSCC，內容橫跨記憶體運算、AI加速器、晶片互連、車用MRAM等多項關鍵領域，再次證…
搜尋「STT-MRAM」，共 30 筆
新世代記憶體大突破 臺灣團隊攻克SOT-MRAM材料瓶頸 (2025.09.26)
新型記憶體推進商用化，由材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等國際頂尖夥伴，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。這項成果不…
AI驅動記憶體革新 台積電與三星引領儲存技術搶攻兆元商機 (2025.06.29)
全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而台積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性記憶體解決方案的商業化。 過去兩年，相變記憶體 (PCM)、電阻式隨機存取記憶體 (RRAM) 和 自旋轉移矩磁阻式…
2025國際固態電路研討會展科研實力 台灣20篇論文入選再創新高 (2024.11.26)
一年一度的國際固態電路研討會（ISSCC）將於2025年2月在美國舊金山舉行，被譽為晶片設計領域的奧林匹克大會，每年都展現出產學界創新的科研實力，台灣此次入選2025 ISSCC共計20篇論文，再創新高，其中學界入選的有清華大學四篇、台灣大…
從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案。…
紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件 (2024.06.25)
紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)，宣布建立戰略研發夥伴關係，初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發，並將在300mm晶圓上進行生產。 第一個聯合研究項目旨在展示兩種新型記憶…
國研院攜手台積電 成功開發磁性記憶體技術 (2024.02.20)
國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International El…
工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點。工研院今（17）日也發表與台積電合作，攜手開發出自旋軌道轉矩磁…
創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰。…
聯電攜手Avalanche 推出航太用高密度P-SRAM裝置 (2022.09.13)
半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體（Persistent Static Random Access Memory；P-SRA…
工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據。…
工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽…
2022 ISSCC台灣15篇論文獲選 聯發科、台積電與旺宏皆上榜 (2021.11.16)
國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference；ISSCC)一向被視為是全球先進半導體與固態電路領域研發趨勢的指標，有晶片(IC)設計領域奧林匹克大會之稱，此研討會將於2022…
Because STT-MRAM (Magnetic Random-Access Memory) is fast, non-volatile, durable, low power and scalable, it is one of th…
可在量產中實現良率管理的STT-MRAM磁性測試 (2021.06.02)
由於STT-MRAM（自旋轉移距－磁性隨機存取記憶體）具有快速、非揮發性、耐用，低功耗和可擴展的優點，是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者，尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力。然而，為了支援…
新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗，和更低的成本。此外，STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程，更可以挑戰快閃記憶體的低成本。…
STT-MRAM技術優勢多 嵌入式領域導入設計階段 (2019.09.12)
目前有數家晶片製造商，正致力於開發名為STT-MRAM的新一代記憶體技術，然而這項技術仍存在其製造和測試等面向存在著諸多挑戰。STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中，結合數種常規記憶體的特性而獲得市場重視。在多年來…
群聯攜手Everspin 發展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群聯電子宣布與Everspin策略聯盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯的企業級SSD儲存解決方案。 群聯指出，MRAM是一種非揮發性記憶體技術，不僅斷電時資料不會遺失，且有低功耗及讀寫速度高於NAND等特性。整合MR…
愛德萬測試研發出用於記憶測試系統STT-MRAM的切換電流測量系統 (2018.11.21)
半導體測試設備供應商愛德萬測試宣布其與日本東北大學創新整合電子系統中心〈CIES〉的合作，本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持，成功地研發出高速、高精確度模組，可以測量磁性隨機存取記憶體〈STT-MRAM〉中記憶束的切換電流，這是眾所…
HSINCHU, Taiwan - United Microelectronics Corporation and Avalanche Technology, Inc., the next generation STT-MRAM (Spin…