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搜尋「Vishay Siliconix」,共 40

Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件,擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝,在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極

Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件,從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列,對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言,該器件具有業界

Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列,該系列包括額定電壓介於8V~30V的多個器件,這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。 日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封

Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。 新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓,除了n通道及p通道的互補

日前,為滿足對可攜式設備中更小元件的需求,Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET,該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝,具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。 Vishay Siliconix Si8441DB

Vishay推出針對中間匯流排轉換器(IBC)應用的兩款新型控制器IC,這兩款器件是率先將高壓(75V)半橋 MOSFET驅動器與1.6A峰值電流驅動功能以及各種電流監控功能整合在一起的單晶片器件。 新型Vishay Siliconix S

Vishay推出已通過AEC-Q101認證的新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET,該系列包含兩款採用PowerPAK 1212-8封裝且額定結溫為175°C的60V元件。日前推出的元件為在10V柵極驅動時導通電阻為25毫歐的Vis

Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET,這些器件具有三種封裝選擇,可提供最佳的導通電阻性能,憑借這三款器件,公司將有助於提升固定電信網路的效率。 在企業伺服器網路中,

Vishay推出新系列P通道MOSFET,這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝(2.05 mm×2.05 mm)時最

Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET,這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路,同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。 額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix Trenc