AI算力拉動重電超級循環 變壓器成資料中心新瓶頸 (2026.09.16)
AI資料中心持續擴建，算力競爭正沿著電力路徑一路往上游延伸。韓國曉星重工宣布與兩家美國大型科技企業簽署總額3,865億韓元超高壓變壓器合約，設備將部署於美國南、北部新建AI資料中心，包括2,200億韓元765kV及1,665億韓元345kV…
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晶圓廠開始搶電網 AI時代半導體擴產卡在電力 (2026.09.15)
AI算力競賽不只是讓資料中心搶電，連先進晶圓廠也開始面臨相同的瓶頸。韓國電力公社（KEPCO）原希望三星電子與SK海力士預付未來五年、合計約25兆韓元電費，用於提前建設半導體聚落所需輸電與變電設施，但兩家公司考量後續設備投資及財務負擔，決定…
AI資料中心搶電 台灣重電鏈切入美日市場 (2026.09.14)
AI資料中心擴建正在把供應鏈瓶頸從GPU推向電力設備。南亞與華城合作拓展美國、日本AI電力市場，南亞模鑄式變壓器與配電盤模組預計第四季起陸續放量；華城AI資料中心電力變壓器在手訂單已超過新台幣200億元，接單能見度延伸至2029年。 背後原…
算力競賽延伸到電網 AI資料中心開始向上游搶電 (2026.09.11)
AI資料中心競爭正跨出伺服器機房，向上游延伸到發電端。韓國與美國研議超過1,000億美元的大型能源投資方案，據報內容包括最多8座核能反應爐，以及約200億美元的德州天然氣發電計畫，電力需求直接指向快速擴張的AI資料中心。韓國政府表示相關細節…
AI供電邁向800V SiC、GaN搶進資料中心 (2026.09.10)
AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高，傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力，800V高壓直流（HVDC）、固態變壓器（SST）與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構，SiC、GaN也從電動車與…
算力驅動功率元件、先進封裝升級 大廠加速策略轉型 (2026.09.09)
迎接AI算力與Physical AI熱潮，資策會產業情報研究所（MIC）於9/8~9/10舉辦「2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》」研討會，今（9）日聚焦AI應用從雲到端全面擴張的趨勢，正改寫半導體產業競爭格局。…
AI伺服器跨過54V極限 800V重塑資料中心供電 (2026.09.08)
AI算力競賽正從GPU延伸至電力基礎設施。隨著下一代AI伺服器機櫃功率密度快速提高，既有54V直流供電面臨電流過大、銅材與線纜增加、轉換損耗及機櫃空間等瓶頸，800V高壓直流（HVDC）與固態變壓器（SST）逐漸成為AI資料中心下一波技術競…
AI資料中心進入系統戰 800V與1.6T接棒算力競爭 (2026.09.03)
AI資料中心競爭正在從「誰能取得更多GPU」，轉向運算、供電、光互連與散熱的全系統協同設計。Google技術長暨AI基礎建設資深副總裁Amin Vahdat於SEMICON Taiwan指出，台灣已成為Google美國以外最大硬體工程研發基…
安森美：AI算力競賽進入電力架構時代 設計與驗證成本不可忽視 (2026.07.31)
生成式AI與高效能運算快速發展，正將資料中心的競爭焦點，從單純追求運算效能，推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率，系統業者面臨的不只是供電量增加，還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽，將…
能源自治將如何改變產業與生活？ (2026.07.08)
在2026年的今天，全球能源版圖正經歷一場自愛迪生發明電網以來，最深刻的典範轉移—「能源自治（Energy Autonomy）」。…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
服務廣泛電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST，紐約證券交易所代碼：STM）擴大 800V DC 電源架構布局，推出兩項全新進階架構：800V DC 轉 12V 與 800V DC 轉 …
ST台灣Techday 2025登場 全面展示次世代半導體技術版圖 (2025.12.04)
全球半導體大廠意法半導體（STMicroelectronics，以下簡稱 ST）將於 12 月 12 日在台北文創舉辦第二屆ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」為…
AI重構2026年科技新格局 加強滲透基礎建設轉型 (2025.11.30)
迎接全球AI科技日新月異，加速產業轉型步伐，也帶動用電需求成長，更加深泡沫疑慮。針對TrendForce近日整理2026年科技產業重構新格局，也特別聚焦晶片散熱、液冷伺服器與儲能系統等發展，將加強滲透並推進AI基礎建設轉型。 由於2026年…
ROHM與英飛凌攜手推進SiC功率元件封裝相容性 為客戶帶來更高靈活度 (2025.10.28)
半導體製造商 ROHM（總公司：日本京都市）與 Infineon Technologies AG（總公司：德國諾伊比貝格，以下簡稱 Infineon）針對建立 SiC 功率元件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方對應用於車載充電器、太陽能發電、儲…
SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。…
Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關。1700 V 的額定…
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。GaN做為矽的替代方案，這款半導體材料可在許多…
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局。 格棋成立於2022年，…
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用…