台积电发表N2制程技术 2奈米晶片效能再升级

台积电本周於旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发表了其下一代名为N2的2奈米电晶体技术，也是台积电全新的电晶体架构━环绕闸极(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也拥有生产类似电晶体的制程，英特尔和台积电，以及日本的Rapidus都预计在2025年开始量产。

图一 : (TSMC)

根据台积发表内容，与N3（3奈米）制程相比，新技术在提升15%密度的同时，提供了高达15%的速度提升，或30%的能效提升。

台积电表示，N2是「四年多努力的成果」。现今的电晶体，鳍式场效电晶体(FinFET)，其核心是垂直的矽鳍片。奈米片或环绕闸极电晶体则是以一堆狭窄的矽带取代。
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