英特爾於週二(9/22)的舊金山IDF上,首度展示了全球第一款整合SARM可運作的22nm製程的測試晶片,並重申追求摩爾定律 (Moore’s law) 實現的目標。
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英特爾總裁暨執行長歐德寧(Paul Otellini)於英特爾科技論壇中首度展示以22奈米製程技術所製作的晶圓。 BigPic:500x411 |
這款22nm測試晶片電路中,包括了22nm微處理器將使用的SRAM記憶體和邏輯線路。在SRAM陣列當中,運作的SRAM單元面積僅有0.108和0.092平方微米,此陣列共計有3億6400萬位元的容量。0.108平方微米的SRAM單元為低電壓運作進行優化,而0.092平方微米的單元則為高密度運作進行優化,它是目前已公布之可運作晶片電路中最小的單一SRAM單元。測試晶片內包含29億個電晶體,密度約為先前32nm世代的兩倍,而其面積僅有指甲般大小。
英特爾表示,22nm技術的實現,是英特爾延續摩爾定律的承諾,並致力於讓電晶體更小、每瓦效能更高,以及每個電晶體成本更低。目前英特爾已全面進入22nm技術開發狀態,並將依時程,把該公司的「tick- tock model」 (鐘擺發展模式)延伸到下一世代。
除了揭露22nm的技術外,此次IDF還展示了第三代high-k金屬閘極電晶體技術。