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快捷發表MOSFET系列新成員

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快捷半導體(Fairchild)22日發表30V、9mW FDC796N和100V、70mW FDC3616N的高效N通道MOSFET元件,專為處理1.8W的功率耗散而設計,提供各種應用範疇的小形DC/DC電源之完整解決方案,包括電訊設備和網際網路集線器及路由器,以至儀錶設備和ATE設備。FDC796N和FDC3616N是快捷最新MOSFET系列中的成員,該系列結合了快捷的PowerTrenchR技術和SuperSOTTM-6 FLMP。FDC796N和FDC3616N同時提供極低的RDS(on)額定值和低閘極電荷,封裝只佔用9mm2的印刷電路板面積(SO-8封裝則佔用30mm2)。

快捷指出,該公司的專利FLMP封裝省去了傳統的打線,還提供印刷電路板和MOSFET裸片之間的超低熱阻路徑。與許多其他MOSFET封裝相比,這種封裝能通過減少電和熱限制,大大提升性能。舉例說,比較具有類似熱性能的元件如常用的SO-8封裝,FDC796N所占的印刷電路板面積只有其三分一。而產業的趨勢是傾向於為電訊和其他應用,採用更小的八分之一和十六分之一磚外形封裝。在初級側的開關採用FDC3616N並在同步整流器使用FDC796N的組合,可為微型半橋式、48V電訊輸入『板載』DC/DC轉換器,提供良好的解決方案。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?