三星電子正式量產商用HBM4產品，並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程（1c），實現穩定良率，無需額外重新設計即順利完成。
三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46%。相較於前代產品HBM3E的最高針腳速度（pin speed）9.6Gbps，HBM4提升約1.22倍，還可進一步提升至13Gbps，有效紓解隨AI模型規模持續擴大所帶來的資料瓶頸問題。
單一堆疊的總記憶體頻寬也較前代增加2.7倍，最高達到每秒3.3TB（TB/s）。
三星HBM4採用12層堆疊技術，提供24GB至36GB容量。透過運用16層堆疊，容量選項可擴充至48GB，以配合客戶的時程需求。
為了應對資料I/O數量從1,024個增加至2,048個所帶來的功耗與散熱挑戰，三星在核心裸晶（core die）中整合了先進的低功耗設計解決方案。透過運用低電壓直通矽晶穿孔（TSV）技術與電源分佈網路（PDN）最佳化，HBM4相較於與HBM3E，在功耗效率提升了40%，熱阻改善10%，散熱效果提高30%。
這款HBM4專為未來的資料中心環境所打造，協助客戶最大化GPU吞吐量，並有效優化整體擁有成本（TCO）。
