Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816元件，它把一對互補性的100V增強式MOSFET結合於一個SO8封裝，性能可以媲美體積更大的個別封裝零件。ZXMC10A816適用於H橋電路，應用範圍包括DC散熱扇和反相器電路、D類放大器輸出級，以及其他多種類型的48V應用。
Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出，這個N與P通道MOSFET的組合能夠代替採用SOT223和DPak (TO252)封裝的等效元件，有助於減少電路板空間和元件數目，同時簡化閘極驅動電路的佈置。SO8充分發揮了節省空間的潛能，其佔位面積只有31平方毫米，只有兩個SOT223 MOSFET的30%。
最新雙元件封裝內的N與P通道MOSFET，在10V的閘極電壓(VGS)下能夠體現甚低的閘極電荷，典型通態電阻(RDS(ON)) 別為230mΩ和235mΩ，確保切換和通態損耗保持在最低的水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。
