STMicroelectronics目前推出其新一代完全自動保護低電壓功率MOSFET電晶體的第一個成員，以原OMNIFET系列產品為基礎，新的OMNIFET II系列採用了最新的VIPower M0-3技術，可以透過降低導通電阻、縮小架構體積以及更佳的穩固度和崩潰功率處理能力來達到更低的導通功率損耗。
VIPower M0-3為一種垂直式智慧型功率(smartpower)技術，可以將功率MOSFET電晶體與類比及數位線路整合在一起，輸出功率級部份的垂直架構可以達到相當高的電流密度，並且由於能夠將閘汲極之間的電壓主動截波，限制在崩潰臨界點之下，因此能讓元件擁有無比的穩固性與能量處理能力。
新推出的產品包含一系列的功率MOSFET電晶體，內含有使用者不需煩心的截波以及保護線路，包括線性電流限制、過電壓截波線路、短路保護、閘極的ESD防護以及直接在功率架構的熱點加上內建感測器所形成的快速反應過熱保護等等，其他OMNIFET II系列的優點還包括有提供到MOSFET閘極的直接連結，使得這些元件可以利用類比或者是數位邏輯位準信號來驅動，同時並提供有負載狀況經過閘極輸入接腳回饋的診斷機制，可以與邏輯線路或微處理器控制系統簡易整合，對負載做即時的控制。
