擁有80.4%股份的Vishay子公司Siliconix日前宣佈推出針對創記錄的P 通道MOSFET系列的目標應用：汽車12V板網（boardnet）高端開關與電動機驅動器。這種新型–40V 與–60V 器件是首款採用Vishay 高級P 通道技術構建的具有額定擊穿電壓的器件，該技術將MOSFET 導通電阻降到了低於記錄的水平。目前推出的六款器件的最大rDS（on）額定值為4.2m.～15 m.。
由於P 通道MOSFET無需其他高端驅動電路來打開，因此與N 通道解決方案相比，這些新型–40V 與–60VTrenchFET 將有助於設計人員減少汽車與工業系統內的元件數並提高這些系統的可靠性。當用於替代上一代P 通道器件時，這些新型TrenchFET還能夠使設計人員降低系統功耗。與市場上具有相同額定電壓和封裝外形的其他最佳P 通道MOSFET相比，這些新器件的傳導損耗降低了90%。
由於P 通道MOSFET 無需其他高端驅動電路來打開，因此與N 通道解決方案相比， 這些新型–40V 與–60VTrenchFET將有助於設計人員減少汽車與工業系統內的元件數並提高這些系統的可靠性。
