日本NIR近外線廣域LED開發技術課題

2016年08月30日 星期二 【科技日報報導】
活動名稱: 日本NIR近外線廣域LED開發技術課題
開始時間: 八月三十日(二) 09:30 結束時間: 八月三十日(二) 16:30
主辦單位: 台灣日本產研資訊
活動地點: 台北市中正區館前路49號4樓
聯絡人: sumken@sum-ken.com 聯絡電話: 02-2536-4647
報名網頁: http://goo.gl/KTa8Kr
相關網址: http://goo.gl/zkZde8

當初IR/LED是1mW程度的,但之後在導入類似半導體雷射構造的具有多層構造異質結合磊晶技術及使用MOCVD等的氣相沉積技術後,現在的IR/LED有數mW級~數W級高出力的產品被實用、販賣。而且其波長帶主要以850nm, 870nm, 940 nm為中心的800 nm~1500 nm之間變得更被廣泛運用,它的周波數特性及回應速度也變得更高速了。像這樣高出力的紅外線LED登場後,可以預期應用於監視大規模、廣域停車場夜視相機的IR光源及大規格、高速通信用途上。雖然IR/LED不像紅色、藍色、綠色等可視光源受矚目,但其可運用範圍的市場是超越你我想像之外的廣泛,其今後市場成長可見預期。

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(一)紅外線IR安全監控(Surveillance)應用與LED替代光源的未來發展

(二)紅外光對植物光合作用之影響

(三)New classes of Infrared femtosecond lasers using transition metals doped II–VI materials

(四)日本近紅外線廣域LED開發技術課題(中文翻譯)


關鍵字: 台灣日本產研資訊