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ROHM第4代1200V IGBT实现顶级低损耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年来，汽车和工业设备朝高电压化方向发展，市场开始要求安装在车载电动压缩机、HV加热器和工业设备逆变器等应用中的功率元件支援高电压。半导体制造商ROHM针对车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现业界顶级低损耗和高短路耐受能力的第4代IGBT |
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Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出两款采用紧凑、高隔离延伸型SO-6封装的新型IGBT和MOSFET驱动器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分别提供3 A和4 A的高峰值输出电流，提供高达 +125 。C的高工作温度和最大200 ns的低传播延迟 |
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ROHM推出4款工业电源适用SOP封装通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常适用於工业设备的AC-DC电源。目前已有支援多种功率电晶体共4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用「BD28C55FJ-LB」、中高耐压MOSFET驱动用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驱动用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驱动用「BD28C57HFJ-LB」 |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合 推出全新电流额定值模组 (2023.09.18)
英飞凌科技推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半桥和共发射极模组产品组合。模组的最大电流规格高达 800A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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投身车电领域的入门课：IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19)
随着2021年全球政府激励政策和需求上升，正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心，IGBT和SiC模组极具市场潜力。 |
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PI新型3300V IGBT模组闸极驱动器 可实现可预测性维护 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的单通道随??即用闸极驱动器，该产品适用於高达 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模组。1SP0635V2A0D 结合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切换效能和保护功能，具有可配置的隔离串列输出介面，增?了驱动器的可程式性，并提供了全面的遥测报告，以实现准确的使用寿命预估 |
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ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模组 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半导体制造商ROHM在开发SiC（碳化矽）功率模组方面，已有十多年的良好合作关系。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率领域推出的功率模组中，采用了ROHM新产品1200V IGBT「RGA系列」 |
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东芝新款650V分立式绝缘闸双极型电晶体适用於大型电源 (2023.03.10)
东芝（Toshiba）推出一种用於空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立式绝缘闸双极型电晶体（IGBT）GT30J65MRB。产品於今（10）日开始量产出货。
在高功率的工业设备和家用电器领域，由於变频器在空调中的应用越来越普遍，工业设备的大型电源也需要降低功耗，因此让高效率开关元件的需求成长 |
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英飞凌推出新额定电流IGBT7增强1200 V EconoDUAL 3产品线 (2021.09.09)
英飞凌科技为其采用TRENCHSTOP IGBT7晶片的EconoDUAL 3产品组合推出新的额定电流。凭借从300A到900A的宽广电流等级，该产品组合为逆变器设计人员提供了高度的灵活性，同时也提供了更高的功率密度和性能 |
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Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。
Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品 |
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ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」 |
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电动车之功率架构 (2021.04.09)
轮毂马达已经开始用於电动车（EV），这项技术采用可去除差速器和传动轴等装置，使电动车显着节省空间。本文介绍轮毂马达发展状况，并讨论驱动电子装置等一些设计整合问题 |
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英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换 (2021.03.26)
英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合，推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器，采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术，提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合，因此有助於降低BOM，并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计 |
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英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体 |
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盛美半导体推出功率元件的立式炉设备 提升IGBT制程合金退火性能 (2020.12.24)
随着电晶体变薄、变小和速度变快，合金退火功能对满足绝缘栅双极型电晶体（IGBT）元件不断增长的生产要求至关重要。因此，半导体制造与晶圆级封装设备供应商盛美半导体近日宣布，其开发的Ultra Fn立式炉设备扩展了合金退火功能，将立式炉平台应用拓展到功率元件制造领域 |
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英飞凌推出硫化氢防护功能产品 助力延长IGBT模组寿命 (2020.07.09)
强固性及可靠性决定了模组在严峻应用环境中的使用寿命。尤其是暴露於硫化氢(H2S)的环境，对於电子元件的使用寿命更有严重的影响。为解决此项威胁，英飞凌科技开发了一项全新的防护功能，推出搭载TRENCHSTOP IGBT4晶片组的EconoPACK+模组，是Econo系列第一款为变频器应用提供此防护等级的产品 |
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意法半导体650V高频IGBT利用最新高速切换技术提升应用性能 (2019.05.13)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟槽式场截止（Trench Field Stop，TFS）技术，可提升PFC转换器、电焊机、不断电供应系统（Uninterruptible Power Supply，UPS）、太阳能逆变器等中高速应用设计的效能和性能 |
IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织，其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商，以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
