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科技
典故
叫醒硬體準備工作的BIOS

硬體組裝在一起,只是一堆相互無法聯繫的零件,零件要能相互聯絡、溝通與協調,才能構成整體的「系統」的基礎,而BIOS便扮演這樣的角色。
SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽(SiC)市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。
Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 (TI) 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 (GaN) 功率半導體。隨著會津廠進入生產,加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業,TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成,同時宣布與國家中山科學研究院(中科院)合作,雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外,格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議,雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求,具備低缺陷率、高製程穩定性,成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本,促進了碳化矽元件的更廣泛應用
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems,UAES)簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來,雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組,成功導入至浙江吉利控股集團(以下稱吉利)的電動車(以下稱EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器
德州儀器與台達電子合作 推動電動車車載充電技術再進化 (2024.07.03)
德州儀器(TI)與台達電子展開長期合作,共同開發次世代電動車車載充電與電源解決方案。這項合作將於雙方在台灣平鎮的創新聯合實驗室進行,結合雙方在電源管理與電力傳輸方面的研發量能,共同推動功率密度、效能與尺寸最佳化,加速實現更安全、充電快速和實惠的電動車
TI首款GaN IPM問世 實現更小更具能源效率的高電壓馬達設計 (2024.06.26)
德州儀器 (TI) 推出適用於 250W 馬達驅動器應用的 650V 三相 GaN IPM(Intelligent Power Module)。這款全新 GaN IPM 能協助工程師克服在設計大型家用電器以及暖通空調(HVAC)系統時常面臨的多數設計與性能的問題
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體(STMicroelectronics,ST),將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽(SiC)功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠,意法半導體將打造一個碳化矽產業園區,達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景
安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠 完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20)
電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨,激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求,安森美採取了戰略舉措,宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠
意法半導體推出靈活同步整流控制器 提升矽基或氮化鎵功率轉換器效能 (2024.05.14)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)新款SRK1004同步整流控制器降低採用矽基或GaN電晶體之功率轉換器的設計難度並提升轉換效能,目標應用包括工業電源、攜帶式裝置充電器和AC/DC轉接器
Power Integrations收購Odyssey 為GaN技術的持續發展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations這家節能型電源轉換領域的高壓積體電路領導廠商,宣佈收購垂直氮化鎵 (GaN) 電晶體技術開發者 Odyssey Semiconductor 的資產。這項交易預計將於 2024 年 7 月完成,之後 Odyssey 的所有重要員工預期會加入 Power Integrations 的技術組織
羅姆SiCrystal與意法半導體合作 擴大SiC晶圓供貨協議 (2024.04.22)
半導體製造商ROHM和意法半導體(ST)宣佈,羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH(SiCrystal)將擴大目前已持續多年的150mm SiC晶圓長期供貨協議。 擴大後的協議約定未來數年將向ST供應在德國紐倫堡生產的SiC晶圓,預計協議期間的交易額將超過2.3億美元
TI創新車用解決方案 加速實現智慧行車的安全未來 (2024.04.18)
伴隨汽車電氣化程度提高與電動車的普及,車內配電與佈線複雜度也隨之攀升,TI透過牽引逆變器、車載充電器等系統與元件的創新解決方案,掌握配電監控、升降壓管理等安全性核心技術,協助汽車工程師簡化設計並打造更安全的車輛
ST碳化矽數位電源方案被肯微科技採用於高效伺服器電源供應器 (2024.03.22)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作,設計及研發使用ST領先業界的碳化矽(SiC)、電氣隔離和微控制器的伺服器電源參考設計技術
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度
TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器(TI)推出兩款新型功率轉換器產品組合,協助工程師在更小的空間內實現更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵(GaN)功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術,可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度
ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27)
半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件(EcoGaN),被台灣台達電子(Delta Electronics)的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件,在提高產品性能和可靠性的同時,更實現了小型化
英飛凌2024年第一季度業績表現強勁 營收達37億歐元 (2024.02.17)
英飛凌 2024 會計年度第一季營收 37.02 億歐元,部門利潤達 8.31 億歐元,利潤率為 22.4%。2024會計年度第二季展望:基於1歐元兌換1.10 美元的假設匯率,預期營收約為 36 億歐元

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5 英飛凌2024年第一季度業績表現強勁 營收達37億歐元
6 TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度
7 蔚華與南方科技合作非破壞性SiC檢測系統 搶攻化合物半導體商機
8 Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件
9 TI創新車用解決方案 加速實現智慧行車的安全未來
10 英飛凌GaN功率方案助歐姆龍實現輕小車聯網充電系統

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