美商超微半導體 (AMD) 的研發人員日前在日本京都舉行的積體電路研討會上詳細介紹多種目前最高效能的電晶體。由於電晶體是未來新一代微處理器設計的基礎，因此電晶體的開關速度越快，為客戶提供的解決方案效能也會越高。
在大會上介紹的其中一批電晶體採用全空乏絕緣矽 (FDSOI) 技術，開關速度遠比其他 P 通道金氧半導體 (PMOS) 電晶體高，即使與最近發表的電晶體比較，這批電晶體的開關速度也快 30%。另一批在會上介紹的電晶體採用受壓矽晶 (Strained Silicon) 及金屬閘門技術，這種 N 通道金氧半導體 (NMOS) 電晶體可以發揮比採用傳統受壓矽晶技術的電晶體高 20-25% 的效能。
AMD 製程技術開發副總裁 Craig Sander 表示:金屬閘門、全空乏絕緣矽及受壓矽晶等技術的成功開發顯示 AMD 一直致力研發重要的電晶體技術。AMD 的實驗證明新技術的效能有兩位數字的提升，令我們改用 65 奈米 (nm) 以至更精密的製程技術時可以有更多的選擇、更大的空間可以大幅提升電晶體的效能。
