隨著生成式AI與高效能運算需求持續擴大，先進封裝已成為提升晶片運算效能與記憶體頻寬的重要技術。格羅方德（GlobalFoundries; GF）近日宣布與台積電簽署多年期、總額20億美元的製造合作協議，將於美國紐約州Malta廠擴充矽中介層（Silicon Interposer）製造能力，支援台積電CoWoS先進封裝生態系，強化AI晶片關鍵零組件的跨國供應布局。
CoWoS透過先進封裝技術，將邏輯晶片與高頻寬記憶體（HBM）整合於同一封裝內。其中，矽中介層提供高密度、高頻寬的晶片間互連，縮短訊號傳輸路徑，降低資料交換延遲與功耗。隨著AI加速器整合更多運算晶粒及HBM堆疊，封裝尺寸、互連密度與電源完整性要求同步提高，使得矽中介層成為影響系統效能與封裝產能的關鍵環節。
台積電與格羅方德合作反映先進封裝供應鏈正由單一製造基地，逐步發展為跨國協作模式。
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根據合作協議，格羅方德將利用既有半導體製造基礎，在Malta廠增加矽中介層產能，預計2028年上半年開始擴大量產。雙方初期合作期限為五年，並保留依市場需求進一步擴產的彈性。
此次合作涵蓋嵌入式深溝槽電容（eDTC）相關技術。透過在矽基結構中整合高密度電容，可強化晶片電源去耦能力，降低高速運算時的電壓波動，改善高功耗AI晶片的電源完整性。值得注意的是，格羅方德主要負責矽中介層製造，並非承接完整CoWoS封裝組裝與測試。這項分工反映先進封裝供應鏈正由單一製造基地，逐步發展為跨國協作模式。
由於AI晶片需求已帶動矽中介層、精密互連、電容整合、晶圓量測及製程設備同步升級。對台灣半導體設備、材料與測試業者而言，跨國產能布局將提高製程一致性、可靠度驗證及供應鏈協作的重要性，也使先進封裝關鍵零組件成為下一階段產業競爭焦點。
