CTIMES- AI記憶體供應鏈重組 SK海力士在美建立HBM封裝基地

AI晶片供應鏈的在地化，正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體（HBM）。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地，投資逾40億美元，規畫2029年下半年開始量產下一代HBM，並且明確將HBM4E列為首波產品，成為SK hynix首座美國HBM生產據點。

HBM與傳統DRAM最大的技術差異，在於透過TSV等技術將多顆DRAM垂直堆疊，再經先進封裝與AI GPU／ASIC整合，以提高記憶體頻寬並降低資料搬移功耗。隨AI模型規模與推論Token量增加，GPU效能已愈來愈受到記憶體頻寬與容量限制，使HBM由記憶體零組件躍升為AI加速器核心架構之一。

SK hynix今年6月已送樣12層HBM4E，下一代產品持續提高頻寬與能源效率；該公司表示，印第安納基地未來年產能將達數十萬片晶圓對應規模，並與Purdue University合作建立先進封裝研發測試平台。
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