ROHM推出低VF、低IR的保护用萧特基二极体

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出一款创新型保护用萧特基二极体「RBE01VYM6AFH」，该产品在低VF（正向电压）和低IR（反向电流）两者难以兼顾的特性之间实现了高度平衡，可为ADAS镜头等配备了高画质感光元件应用，提供高可靠性的保护解决方案。

图一

近年来随着ADAS镜头等应用的精度提升，内部所搭载的感光元件的高画质程度也越来越受到重视。这使产品无法对电源关断时，由感光元件产生的光生电压进行充分控制，故存在对应用产品造成损坏的风险，而采用具有低VF特性的萧特基二极体来进行保护，一直被认为是有效的方案。另一方面，为了防止运行时的热失控，还需要具备低IR特性。但由於VF与IR之间难以两全，因此如何能兼顾二种特性一直是个难题。在此背景下，ROHM透过从根本上重新改善元件结构，成功开发出兼具低VF和低IR特性的萧特基二极体，使其能够胜任保护工作。

「RBE01VYM6AFH」是一款突破传统思维的产品，大胆将通常做为整流用途的萧特基二极体的低VF特性，运用在保护用途中。透过基於ROHM独家技术打造的全新元件结构，同时实现了一般难以兼顾的低VF和低IR特性。藉由上述优异特性，新产品即使在严苛的环境条件（VF：Ta=━40℃、IR：Ta=125℃）下，仍同时满足市场VF＜300mV（IF=7.5mA）和IR＜20mA（VR=3V）的特性要求。因此新产品不仅能够防止应用产品停止运作时，高光生电压*1导致的电路损坏，还能大幅降低运作过程中出现热失控和误动作的风险。
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