英飞凌携手Panasonic 共同加速650 V GaN功率装置技术发展

英飞凌科技和 Panasonic 公司，已针对共同开发及生产第二代 (Gen2) 氮化?? (GaN) 技术签订合约，基於已获认可接受的GaN技术，Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。

图一

为了因应市场需求，Gen2 将会开发为 650 V GaN HEMT。该装置具备易使用性和更高的性价比，主要应用包括高功率与低功率的 SMPS 应用、再生能源、马达驱动等。

对许多设计而言，氮化?? (GaN) 可提供比矽更多的基础优势。与矽 MOSFET 相比，GaN HEMT 具备出色的特定动态导通电阻和较小的电容，因此符合高速切换的要求。能达到省电、系统总成本降低、可在较高频率下操作、提高功率密度和整体系统效率等效益，使 GaN 成为对设计工程师而言极有吸引力的选项。
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