飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术

全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中采用Transphorm公司的氮化??（GaN）技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术，这是一种氮化??场效应管（FET）平台，具有系统设计简单，元件数量少，高性能，高可靠等优点。

图一 : Transphorm用於低功耗应用的高可靠性元件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的配接器市场的成熟解决方案。

飞宏的65W配接器外形小巧（51 x 55.3 x 29 mm），配备两个USB-C埠和一个USB-A埠（2C1A），可同时为三台设备充电。这款充电器采用单一650V SuperGaN元件TP65H300G4LSG，与采用准谐振反驰模式（QRF）拓扑结构的矽解决方案相比，功率损失可减少约17%。该配接器还提供高达65W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是一款240毫欧、通过JEDEC认证的PQFN88表面黏着元件，具有+/-18V闸极安全裕度。FET适合於建立在QRF、主动钳位反驰模式（ACF）或LLC谐振拓扑结构上的150W或以下低功率应用。
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