KLA-Tencor为先进积体电路元件技术推出全新量测系统

KLA-Tencor公司针对次十奈米（sub-10nm）积体电路（IC）元件的开发和量产推出四款创新的量?系统：Archer 600叠对量测系统，WaferSight PWG2图案化晶圆几何形状测量系统，SpectraShape10K光学线宽（CD）量测系统和SensArray HighTemp 4mm即时温度测量系统。这四款新系统进一步拓宽KLA-Tencor的独家5D Patterning Control Solution应用，提升包括self-aligned quadruple patterningSAQP）和极紫外（EUV）微影在内的先进图案成形技术。

图一 : 综合制程控制提为先进的Multi-Patterning和EUV微影技术提供完善全面的制程管控?

「领先的设备制造商正面临着极为严苛的图案成形制程规格。」 KLA-Tencor首席营销官Oreste Donzella指出：「为了解决图案成形误差，晶片制造商需量化制程变化，区?变化产生的原因并从根源解决问题。 今日发布的全新量测系统可以为客户提供关键的数据，协助工程师确认微影制程中具体的曝光机校准，以及蚀刻、薄膜和其他制程模块的制程改进。 我们推出的全新叠对量测，图案晶圆几何形状，光学线宽和即时温度测量系统对於提升193i多重曝光性能和早期EUV微影基线数据收集都极为重要。」

Archer 600采用全新光学系统和新型测量标靶，展延以影像基础的叠对量测技术，帮助先进的逻辑电路和记忆体晶片制造商实现小於至3nm（sub-3nm）的叠对误差。 创新的ProAIM?标靶技术可以更好地抵御制程变化干扰，籍此增加目标和元件之间叠对误差的相关性，并实现更精确的叠对测量。 Archer 600的新型光学技术，包括亮度更高的照明和偏振模组，能够在不同的制程材料中（从薄光阻层到不透明硬遮罩材料）实现更严密的叠对误差反??和控制。 透过提高生产率，Archer 600可以增加叠对误差的采样，籍此提升曝光机的校准或是产线异常偏移的辨识。Archer 600系统已经由全球多个代工厂、逻辑电路和记忆体晶片厂商安装运行，用於测量最先进的半导体元件。
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