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来扬科技携手主力分团 进军次世代记忆体市场

传统记忆体的制程技术已达物理极限,国际大厂无不全力布局,一场次世代记忆体大战已隐然成型。为抢占未来全球记忆体市场,来扬科技整合本身电路设计能力後,以开放宏观的精神,进军次世代记忆体市场。


图一 : 来扬科技整合本身电路设计能力後,以开放宏观的精神,进军次世代记忆体市场。
图一 : 来扬科技整合本身电路设计能力後,以开放宏观的精神,进军次世代记忆体市场。

来扬科技为全球前四大静态随机存取记忆体设计公司,产品主要应用於手持型产品、网路通讯、电脑周边产品等消费性产品上,近年亦积极跨入工业自动化、机器人、交通运输以及医疗等工业应用产品的市场开发。为进一步布局巨资储存应用之静态随机存取记忆体(SRAM)的发展,来扬科技整合本身电路设计能力,成功开发出商业化的磁性记忆体(MRAM)产品,大幅提升台湾在次世代记忆体产业市场的关键技术与竞争力。


透过主力产业分团的专家协助与合作,将STT-MRAM元件整合至CMOS制程,以0.18um技术节点为初步目标,最终将进行0.11um技术节点产品目标,使来扬科技的磁性记忆体技术能够更快速跨入工业控制记忆体领域并落实产品规格,大大提升来扬科技於工控记忆体的市占率。未来将进一步应用至标准型静态随机存取记忆体(SRAM)与动态随机存取记忆体市场(DRAM)。
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