英飛凌科技將在歐洲設立全球首座採用 12 吋 (300 毫米) 晶圓生產新一代氮化鎵（GaN）功率半導體的大規模量產製造廠。作為該計畫的一部分，英飛凌將在 2034 年前，投資約 11 億歐元於奧地利菲拉赫（Villach）廠區的既有無塵室設施。透過運用現有基礎設施並進行升級，英飛凌將能以高效率且具成本效益的方式擴充製造產能。該製造設施預計於 2027 年底前開始投產。這項投資的目的為因應高效能供電解決方案快速成長的需求。氮化鎵可顯著提升多種應用的能源效率，包括 AI 資料中心、能源基礎設施、電動交通、機器人及消費性電子產品。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 、英飛凌奧地利執行長 Sabine Herlitschka 、
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奧地利總理 Christian Stocker 、奧地利經濟部長 Wolfgang Hattmannsdorfer (由左至右)
英飛凌是氮化鎵電力電子領域的領導者。兩年前，英飛凌成功完成全球首批 12吋氮化鎵晶圓製程，達成重要技術里程碑。相較於 8 吋（200 毫米）晶圓，採用 12吋晶圓生產晶片的製程更先進、效率也顯著更高，因為更大的晶圓直徑讓每片晶圓可產出的晶片數量增加至 2.3 倍。如今，英飛凌正將此技術導入全球首座供應客戶產品的 12 吋氮化鎵功率半導體大規模量產廠。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示：「這項重大投資展現我們強化歐洲半導體生態系與歐洲技術自主性的明確承諾。透過建立採用 12吋晶圓的大規模製造能力，我們將成為全球首家實現氮化鎵功率電子大規模量產的公司。此舉將推動氮化鎵廣泛應用於人工智慧、能源基礎設施、電動交通及機器人等關鍵領域。這座先進的新製造廠，將把創新的領先優勢轉化為客戶可直接受益的價值。」
奧地利總理 Christian Stocker 表示：「英飛凌這項逾十億歐元的投資，是奧地利高科技產業史上規模最大的單一投資案之一。這不僅展現了對奧地利投資環境的高度肯定，也有助於確保半導體產業的未來不只由亞洲或美國塑造，奧地利與歐洲同樣能參與其中。菲拉赫因此將成為全球獨一無二的生產基地，生產一項將形塑未來的關鍵技術。這將強化我們的國際競爭力，並確保奧地利的就業與產業價值創造。奧地利或許不是天然資源取之不盡的國家，但我們擁有豐富的人才。我們的尖端研究樹立了國際標準，而英飛凌等企業則時時證明，源自奧地利的創新如何發揮效益。我們希望透過產業策略進一步發揮這些優勢，讓奧地利在 2035 年前重返全球前十大工業國之列。」
這項首創的技術投資計畫獲得了《歐洲晶片法案》支持。歐盟執委會已核准奧地利政府提供 3.19 億歐元補助，奧地利聯邦經濟事務、能源及觀光部預計將於規定期限內完成正式核定。藉由核准該部會提供的補助，歐盟執委會不僅將擴充歐洲的製造產能，也將為相關產業帶來正面外溢效益，例如促進與大學及研究機構的跨域合作，並改善新創企業與中小企業取得創新技術及產品的機會。
英飛凌奧地利執行長 Sabine Herlitschka 強調：「當卓越的研究成果轉化為產業價值，競爭力與技術自主性便由此而生。這正是我們旗艦計畫的核心：我們從奧地利出發，將創新帶入產業應用，鞏固技術領導地位，並確保高技能工作機會。微電子是對經濟與社會具有高度帶動效益的關鍵產業。從研究機構、大學到產業夥伴，整個奧地利半導體生態系都將受益。我們也藉此長期強化歐洲在微電子領域的競爭力與策略自主性。」
這項投資將強化菲拉赫作為全球電力電子與新型半導體材料技術能力中心的角色。英飛凌奧地利公司目前約有 5,800 名員工，其中約 4,800 人任職於菲拉赫廠區。英飛凌攜手大學、研究機構、新創企業及產業夥伴，共同構成奧地利南部享譽國際的微電子生態系核心。新設立的 12吋氮化鎵製造廠，也將與菲拉赫當地的電力電子研發活動相互結合，發揮綜效。
