先進封裝打開設備新戰場 (2026.10.20)
AI把半導體競爭推向一個新的分界。過去業界習慣把先進製程理解為更小的電晶體、更多的曝光層數，今天的系統效能愈來愈取決於GPU、AI ASIC、HBM與各類Chiplet如何被連接、供電、散熱與測試。封裝不再只是晶圓完成後的保護與接腳，而是系…
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用於系統單晶片的高功率單晶片積體電路 (2026.10.13)
在系統單晶片（SoC）應用中，整合電源管理晶片（PMIC）供電的電源配置需滿足多項嚴苛的性能指標：不僅要滿足大輸出電流，還需要實現負載瞬態響應速度快、波動小，同時兼具低電磁相容（EMC）干擾特性、低溫升、休眠模式下低功耗等特性。 ADI推出…
應用材料與貝思半導體擴大合作 推進驅動AI規模化發展的新封裝技術 (2026.10.02)
應用材料公司與貝思半導體（BE Semiconductor Industries；BESI）擴大雙方長期策略合作關係，貝思半導體加入應材設備與製程創新暨商業化（Equipment and Process Innovation and Com…
西門子深化與台積電合作 加速AI驅動半導體自動化與3D IC設計 (2026.09.29)
西門子宣布進一步擴大與台積電在開放創新平台（OIP）生態系中的長期合作，雙方攜手推動 AI 驅動的設計自動化技術，以加速先進半導體製程、3D IC 及矽光子（SiPh）領域的開發流程，協助全球晶片設計客戶因應日益升高的複雜度，縮短產品投片（…
ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
[Computex] Lightmatter：未來邁向人工超級智慧的瓶頸將是「互連」 (2026.06.03)
在 Computex 2026 的主題演講中，Lightmatter 創辦人暨執行長 Nick Harris 針對AI基礎設施的未來發展，提出了一項重新定義產業格局的核心論點：未來擴展前沿模型並邁向人工超級智慧（ASI）的核心瓶頸，已不再是…
ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC…
從資料中心到先進封裝的散熱變革 (2026.05.12)
為了探討AI時代的散熱轉型，本文特別採訪了新思科技，以及Cadence。從物理模擬與系統級分析的角度，剖析如何為新一代AI基礎建設打造最堅實的散熱後盾。…
Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bi…
服務廣泛電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST，紐約證券交易所代碼：STM）與 Leopard Imaging 推出一款一體化多模態視覺模組，適用於人形機器人及其他先進機器人系統。該模組…
Microchip 發表 BZPACK mSiCR 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bi…
三星正式出貨商用HBM4 採用12層堆疊技術 (2026.02.12)
三星電子正式量產商用HBM4產品，並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程（1c），實現穩定良率，無需額外重新設計即順利完成。 三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46%。相較於前…
應材研發新一代半導體製造系統 將大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09)
迎接全球AI基礎建設熱潮，美商應用材料公司近日也發表最新半導體製造系統，將專注在3大關鍵領域，分別是環繞式閘極（GAA）、電晶體在內的前瞻邏輯製程、高頻寬記憶體（HBM）在內的高效能DRAM等。進而提升AI運算所需的先進邏輯與記憶體晶片效能…
「Power Eco Family」 ROHM功率半導體產品介紹 (2025.10.01)
1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率並實現碳中和，已成為全球共…
搭載ROHM SiC MOSFET的Schaeffler’s Inverter Brick開始量產 (2025.09.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）與德國大型汽車零件供應商Schaeffler（總部位於德國Herzogenaurach，以下稱Schaeffler）宣佈，作為戰略合作夥伴關係的重要里程碑，Schaeffler開始量產針對中國大型汽…
封裝決勝未來：半導體的黃金引擎 (2025.09.08)
先進封裝突破製程微縮瓶頸，透過異質整合與高密度互連，成為推動多項應用邁向新世代的關鍵推手。…
以先進封裝重新定義運算效能 (2025.09.04)
在過去近六十年的時間裡，半導體產業的發展軌跡幾乎完全由摩爾定律所定義，即積體電路上可容納的電晶體數目，約每18至24個月便會增加一倍，帶來處理器效能的翻倍成長與成本的相對下降。…
三星Q2獲利大幅下滑 仰賴Tesla訂單與HBM策略重振榮光 (2025.08.01)
2025 年第二季，Samsung公布財報顯示，其營業利潤年減 55%，其中以晶片部門表現最為低迷，已連續四季呈現虧損，凸顯全球記憶體市場與先進製程壓力尚未完全緩解。不過，隨著 AI 應用快速擴張，Samsung 也找到了潛在轉機：近期正式…
良率低落元兇？四大表面形貌量測手法 如何選? (2025.07.07)
選錯量測分析手法，可能讓你產品良率下滑、製程誤判、重工延宕，甚至導致整批報廢。隨著AI晶片、CoWoS、HPC等先進製程快速推進，每個關鍵工序都依賴高精度的表面形貌量測。…
國儀中心與鼎極科技聯手打造次世代功率半導體製程技術 (2025.06.24)
在電動車、5G及低軌衛星等應用快速擴張的背景下，對高效能功率半導體的需求與日俱增。為了突破碳化矽（SiC）晶圓加工中的製程瓶頸，國研院國儀中心與精密加工設備業者鼎極科技合作，成功開發出以紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨的創新技術。這項技術…