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搜尋「DDR DRAM」,共 756 筆

AI伺服器記憶體競爭正由單純追求HBM頻寬,擴大至整個記憶體層次結構的容量與資料搬移效率。Samsung近期以CXL Memory Pool進行大型模型推論測試,將CXL記憶體作為KV Cache外溢空間;SK hynix也將HBM、伺服器…

AI記憶體的產能排擠效應正在進入更明確的量化階段。三星電子(Samsung Electronics)高層表示,HBM目前約占全球DRAM晶圓產能20%,預估明年可能逼近30%。由於HBM與一般DRAM共用部分晶圓製造能力,當記憶體大廠持續提…

AI帶動的記憶體產能排擠效應正進入第二階段。過去市場焦點主要集中於HBM大量占用DRAM晶圓產能,如今隨著堆疊層數與頻寬持續提高,供應瓶頸正由晶圓容量往矽穿孔、鍵合、堆疊與測試端移動,封裝與測試逐漸成為決定HBM有效產出的另一道門檻。 HB…

AI正在重新分配的不只是DRAM晶圓產能,連封裝、測試與模組組裝空間也開始重新洗牌。三星電子近期據悉擴大把DDR5記憶體模組與SSD新增產能交由外部合作夥伴承接,將韓國有限的內部後段資源優先配置給HBM與先進封裝。 HBM與一般DRAM最大…

生成式AI由模型訓練進入大規模推論,儲存ˋ以正從資料保存設備轉變成影響Token產出效率的核心基礎設施。GMIF 2026全球記憶體產業創新峰會9月23日在深圳舉行的,以「AI儲存,驅動未來」為主題,直接把Token經濟、AI推論、KV C…

AI基礎建設的記憶體需求正由高頻寬記憶體(HBM)、雙重數據速率(DDR)進一步延伸至企業級儲存 SSD。TrendForce最新調查指出,美系雲端服務商近期持續上調企業級SSD需求,第四季訂單可望超越第三季高點;供應商也開始把更多NAND…

AI資料中心持續擴建,全球記憶體供應緊張已從HBM擴散至一般DRAM與NAND,並開始影響手機、PC產品設計。路透指出,部分中小型手機與筆電業者正為可能延續至2027年甚至更久的記憶體短缺預做準備,除了提前下單,也開始修改主機板與產品規格,…

AI PC的競爭常被濃縮成一個數字:NPU有多少TOPS。然而,一部真正可用的AI PC,從來不是把一顆NPU放進既有筆電就完成。…

中國記憶體產業發展再邁進一步。市場消息指出,中國DRAM大廠長鑫存儲(CXMT)預計於7月27日正式在上海科創板(STAR Market)掛牌上市,預計募資約295億元人民幣(約43.5億美元),可望成為亞洲今年規模最大的首次公開募股(IP…

受惠於消費性應用需求下修及高基期作用,根據TrendForce最新記憶體價格調查,2026年Q3整體DRAM格局持續極度緊阿,但合約價漲幅收斂,預計將季增13-18%。 其中NAND Flash主要需求,仍由AI推論與大型資料中心建置支撐。…

為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求,應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統,以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶(Epitaxy)系統、化學機械平坦化(CMP)與沉積系統、電子束系統(eBeam),挑…

記憶體大廠美光(Micron)最新公布的 2026 會計年度第三季(3月至5月)財報震驚全球市場。單季銷售額達 414.56 億美元,年增高達 4.5 倍;淨利潤暴增 15 倍至 282.43 億美元,毛利率更衝上難以想像的 86%。 這份…

隨著人工智慧工作負載從模型訓練邁向大規模推論與AI代理系統,半導體生態系正迎來一場深刻的結構性轉型。美光科技(Micron)於COMPUTEX 2026展會期間指出,AI時代的系統效能正前所未有地取決於記憶體的頻寬與容量,記憶體與儲存技術已…

AMD與三星電子宣布簽署合作備忘錄(MOU),雙方將在下一代AI記憶體與運算技術上擴大策略合作。簽署儀式於三星位於韓國平澤最先進的晶片製造園區舉行,由AMD董事長暨執行長蘇姿丰博士與三星電子副會長暨執行長全永鉉共同出席。 根據此合作備忘錄,…