HBM之後是CXL AI記憶體競爭從頻寬走向容量共享 (2026.10.02)
AI伺服器記憶體競爭正由單純追求HBM頻寬，擴大至整個記憶體層次結構的容量與資料搬移效率。Samsung近期以CXL Memory Pool進行大型模型推論測試，將CXL記憶體作為KV Cache外溢空間；SK hynix也將HBM、伺服器…
搜尋「DRAM 層」，共 568 筆
HBM預估明年占DRAM產能近三成 記憶體排擠效應擴大 (2026.09.29)
AI記憶體的產能排擠效應正在進入更明確的量化階段。三星電子（Samsung Electronics）高層表示，HBM目前約占全球DRAM晶圓產能20%，預估明年可能逼近30%。由於HBM與一般DRAM共用部分晶圓製造能力，當記憶體大廠持續提…
HBM堆疊愈高良率愈難 先進封測成AI新瓶頸 (2026.09.24)
AI帶動的記憶體產能排擠效應正進入第二階段。過去市場焦點主要集中於HBM大量占用DRAM晶圓產能，如今隨著堆疊層數與頻寬持續提高，供應瓶頸正由晶圓容量往矽穿孔、鍵合、堆疊與測試端移動，封裝與測試逐漸成為決定HBM有效產出的另一道門檻。 HB…
HBM排擠後段產能 三星加速DDR5與SSD委外 (2026.09.23)
AI正在重新分配的不只是DRAM晶圓產能，連封裝、測試與模組組裝空間也開始重新洗牌。三星電子近期據悉擴大把DDR5記憶體模組與SSD新增產能交由外部合作夥伴承接，將韓國有限的內部後段資源優先配置給HBM與先進封裝。 HBM與一般DRAM最大…
Agentic AI推升資料存取 Storage躍升Token基礎設施 (2026.09.23)
生成式AI由模型訓練進入大規模推論，儲存ˋ以正從資料保存設備轉變成影響Token產出效率的核心基礎設施。GMIF 2026全球記憶體產業創新峰會9月23日在深圳舉行的，以「AI儲存，驅動未來」為主題，直接把Token經濟、AI推論、KV C…
AI推論擴大QLC需求 eSSD躍升資料中心核心元件 (2026.09.22)
AI基礎建設的記憶體需求正由高頻寬記憶體（HBM）、雙重數據速率（DDR）進一步延伸至企業級儲存 SSD。TrendForce最新調查指出，美系雲端服務商近期持續上調企業級SSD需求，第四季訂單可望超越第三季高點；供應商也開始把更多NAND…
HBM4挑戰內部缺陷 X-ray成先進封裝新關卡 (2026.09.16)
HBM4將AI記憶體競爭推向更複雜的3D異質整合。除了提高頻寬與堆疊容量，新一代HBM開始把DRAM Stack與Logic Base Die、TSV及先進封裝更緊密整合，製程中的微小Void、Bump異常、Bonding偏移或TSV缺陷，…
HBM進入良率工程戰 3D檢測躍升AI記憶體關鍵設備 (2026.09.16)
AI晶片持續拉升HBM需求，記憶體競爭正在由容量、頻寬與傳輸速度，進一步深入「良率工程（Yield Engineering）」。隨著HBM從8層、12層往16層堆疊發展，TSV、Micro-bump與Bonding結構更加密集，任何單層DR…
HBM卡住中國AI自主化 台先進封裝迎新機會 (2026.09.11)
中國AI晶片自主化正進入更困難的下半場。華為、寒武紀、沐曦等業者持續推出國產AI加速器，逐步降低對NVIDIA依賴，但真正限制系統效能與量產規模的關鍵，已由單純GPU／NPU設計能力轉向HBM高頻寬記憶體。HBM也因此成為中國建立完整AI算…
NAND開始逼近GPU Kioxia用NAND重畫AI記憶體階層 (2026.09.04)
AI伺服器記憶體競爭正從HBM延伸至完整Memory／Storage Hierarchy。Kioxia 9月3日舉行技術說明會，提出AI時代NAND策略，依照不同工作負載配置低延遲XL-FLASH、TLC與高容量QLC，並透過CXL記憶體擴…
AI記憶體供應鏈重組 SK海力士在美建立HBM封裝基地 (2026.08.28)
AI晶片供應鏈的在地化，正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體（HBM）。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地，投資逾40億美元，規畫2029年下半年開始量產下一代HBM，並且明確將HBM4E…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
一部AI PC如何分工 (2026.08.17)
AI PC的競爭常被濃縮成一個數字：NPU有多少TOPS。然而，一部真正可用的AI PC，從來不是把一顆NPU放進既有筆電就完成。…
HBM4量產潮啟動 韓國半導體設備鏈迎來新成長週期 (2026.08.13)
AI伺服器持續推升高頻寬記憶體需求，2026年HBM市場正式由HBM3E跨入HBM4世代，產業成長紅利開始由三星電子、SK海力士等記憶體大廠，向韓國半導體設備供應鏈快速擴散。隨著HBM4進入量產，以及12層、16層堆疊技術持續演進，TC B…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
DRAM價量2027年續緊張 NVIDIA帶頭下調HBM配置 (2026.08.04)
因應DRAM供不應求格局將延續至2027年，且原廠對於HBM4e的驗證進度存在變數。依TrendForce最新研究自2026年Q3起，除NVIDIA已對Rubin Ultra的HBM配置從HBM4e 12hi，改為並行評估HBM4e 8hi…
台灣為何需要記憶體國家隊2.0？ (2026.07.09)
我們必須結合台灣既有的邏輯晶片與封測絕對優勢，重組一隻「記憶體國家隊2.0」。…
台灣整合記憶體架構 (2026.07.09)
隨著AI軟硬體不斷演進，記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列，成為最重要的戰略資產。…
應材發表晶片製造新系統 加速先進封裝最佳化 (2026.07.01)
為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求，應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統，以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶（Epitaxy）系統、化學機械平坦化（CMP）與沉積系統、電子束系統（eBeam），挑…
imec突破鐵電記憶體技術 滿足AI時代海量資料與高密度需求 (2026.06.19)
本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展，鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體（FET）這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案…