High-NA EUV量產倒數 先進製程供應鏈全面重整 (2026.09.15)
AI晶片推升先進製程需求，半導體微縮競賽正由既有EUV邁向High-NA EUV。ASML最新High-NA曝光設備單價約4億美元，約為現行EUV兩倍，然而隨著Intel、台積電、三星及SK海力士陸續確認或規劃導入，High-NA已逐步由研…
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High-NA EUV材料戰升溫 日本生質光阻搶攻10奈米 (2026.09.10)
先進半導體微縮競爭從EUV曝光設備延伸至光阻、光罩與量測材料。日本王子控股（Oji Holdings）與imec合作開發的木質生質光阻，透過High-NA EUV曝光已成功形成10奈米線寬及16奈米孔洞圖形，鎖定A14世代製程，更重要的是不…
英特爾晶圓代工與ASML攜手合作 加速產業運用High-NA EUV (2026.09.08)
本週於SPIE光罩技術暨極紫外光微影研討會（SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography）上，英特爾晶圓代工與ASML分享將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV…
Nearfield完成3.8億美元D輪融資 創荷蘭deep-tech最大募資紀錄 (2026.06.23)
Nearfield Instruments 成功完成總額達 3.8 億美元（約 123 億新台幣）的 D 輪融資。本輪融資完成後，公司估值達 16 億美元， 是Nearfield 發展為半導體量測與檢測全球領導者的重要里程碑。 本輪融資由新…
日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)
沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與…
ASML：從產品、營運及整體價值鏈 推動全方位永續轉型 (2026.05.25)
在 AI 運算與資料中心需求快速成長下，半導體產業在追求更高運算效能的同時，也面臨能源使用與永續發展的挑戰。全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）副總裁暨台灣總經理汪佳慧（Grace Wang）強調將透過技術創新與產業合作，在支持產業…
imec獲High-NA EUV系統 推動業界步入埃米世代 (2026.03.19)
比利時微電子研究中心（imec）近日宣布所採購的ASML最新EXE:5200高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影系統已順利到廠，將進一步確立其在埃米時代扮演產業發展基地的關鍵地位，並提供其全球夥伴生態系統提前取得新一代晶片微縮技…
imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有…
High NA EUV將登場 是否將加速半導體產業寡占？ (2026.02.13)
隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高，是否將進一步加速全球半導體…
艾司摩爾2025年全年財報亮眼 全球半導體設備迎來新一波紅利期 (2026.01.28)
艾司摩爾（ASML）近日揭曉 2025 年全年財報，數據表現亮眼。2025 年全年銷售淨額達到 327 億歐元，淨收入為 96 億歐元。光是第四季的單季銷售額就以 97 億歐元創下歷史新高，其中包括兩套最先進的 High NA EUV 設備…
imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑 (2025.10.07)
於2025年國際光電工程學會（SPIE）光罩技術暨極紫外光微影會議（美國加州蒙特雷市）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了兩項有關單次壓印極紫外光（EUV）微影的突破性進展：（1）間距為20奈米的導線圖形，包含與鑲嵌金屬化製程相關的1…
由設計實現的可永續性：降低下一代晶片的環境成本 (2025.10.02)
本文透過在開發週期的早期階段整合環境考量、改善獲取製程級潛在影響數據的途徑，以及探索取代高影響力材料和傳統製程步驟的替代方案，以探討永續性可能變成設計參數而非限制的方法。…
ASML高孔徑EUV採用進度放緩 技術與市場拉鋸顯現 (2025.09.29)
荷蘭光刻巨頭 ASML 長期壟斷極紫外光（EUV）市場，其設備成為推動半導體製程不斷前進的關鍵。然而，外界原本寄予厚望的高數值孔徑（High NA）EUV 光刻機，近期卻傳出採用進度不如預期，反映出先進技術與市場現實之間的拉鋸。 高 NA …
SK hynix與ASML完成首台High-NA EUV系統組裝 (2025.09.08)
南韓SK hynix 與荷蘭設備大廠 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系統的組裝作業。這項技術被譽為未來半導體製程的重要基石，代表記憶體產業正邁向新一輪技術革新。 這套設備的核心亮點，在於其數值孔徑（NA）達到 0.5…
Infinitesima啟動三年開發計畫 攜手ASML與imec打造次奈米級3D量測技術 (2025.07.24)
Infinitesima 宣布正式啟動為期三年的開發計畫，並與包括極紫外微影領域的關鍵設備製造商 ASML 及奈米電子研發機構 imec 等多家合作夥伴攜手，針對新一代先進製程技術共同開發高解析度的線上3D晶圓量測解決方案。 本次專案將導入…
Fractilia：隨機性變異威脅數十億美元半導體生產良率 (2025.07.18)
隨著半導體製程技術持續推進至最先進節點，隨機性（stochastics）變異已成為影響量產良率的最大障礙。根據Fractilia最新發表的白皮書，隨機性圖案變異導致晶圓廠每年損失高達數億美元，甚至使整個半導體產業面臨數十億美元的潛在損失。這…
IBM與東京威力科創續簽五年協議 攜手推進次世代半導體技術 (2025.04.06)
IBM與半導體設備大廠東京威力科創(TEL)共同宣布，延長其合作協議，將針對先進半導體技術進行為期五年的聯合研究與開發。這項新的協議將聚焦於持續推進次世代半導體節點與架構的技術發展，以滿足生成式人工智慧時代對於效能的需求。 此項協議建立在I…
imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試…
一粒沙，一個充滿希望的世界 (2025.02.21)
想像一個沒有手機、網路或行動通訊的世界。一片苦於飢荒的大陸。一種神秘又致命的病毒，不受控制地傳播。…
乾式光阻技術可有效解決EUV微影製程中的解析度與良率挑戰 (2025.01.17)
隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案。 科林研發（Lam …