算力驅動功率元件、先進封裝升級 大廠加速策略轉型 (2026.09.09)
迎接AI算力與Physical AI熱潮，資策會產業情報研究所（MIC）於9/8~9/10舉辦「2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》」研討會，今（9）日聚焦AI應用從雲到端全面擴張的趨勢，正改寫半導體產業競爭格局。…
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安森美：攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎，並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電，正日益承受壓力。 為應對這些挑戰，產業正逐步轉向 800V 高壓直流 （HVDC） 架構。 …
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
英飛凌與西門子合作 以碳化矽技術賦能資料中心及工廠電氣保護 (2026.06.11)
英飛凌科技與西門子開展合作，共同提升資料中心、生產設施及電池儲能系統的電氣保護水準，保障運行可靠性。合作內容包括英飛凌將向西門子供應碳化矽（SiC）功率模組，用於西門子的SENTRON 3QD2半導體斷路器。這將提升西門子斷路器保護解決方案…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新…
ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC…
國科會核准5案進駐科學園區 投資7.9億元布局SiC與AI設計服務 (2026.05.11)
國科會於第32次園區審議會中核准5案進駐科學園區，總投資金額達新臺幣7.9億元。本次核准案涵蓋綠能環保、第三代半導體及ASIC設計服務，顯見科學園區持續吸引高階技術投資，完善臺灣高科技產業鏈布局，並對接全球淨零碳排趨勢與AI運算需求。 南部…
2026 ASMC半導體製造會議開幕 聚焦Glass4Chips與離子注入 (2026.05.11)
「ASMC 2026（Advanced Semiconductor Manufacturing Conference）」在紐約州正式揭幕。本屆會議匯集了英飛凌（Infineon）、意法半導體（STMicroelectronics）及應用材料…
Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bi…
Microchip 發表 BZPACK mSiCR 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.03.20)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bi…
IBM與Lam Research啟動5年合作進軍次1奈米邏輯製程 (2026.03.11)
IBM與半導體設備商科林研發（Lam Research）共同宣佈一項為期5年的戰略合作計畫，目標要達成「次1奈米（Sub-1nm）」邏輯晶片的技術開發。這項聯盟將結合IBM在先進半導體材料的研究實力，以及Lam Research在製程設備上…
ST Taiwan Techday 2025登場 鎖定AI、智慧移動與綠能四大商機 (2025.12.05)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）將於 12 月 12 日在台北文創舉辦第二屆 ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Te…
ST台灣Techday 2025登場 全面展示次世代半導體技術版圖 (2025.12.04)
全球半導體大廠意法半導體（STMicroelectronics，以下簡稱 ST）將於 12 月 12 日在台北文創舉辦第二屆ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」為…
GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用 (2025.11.13)
面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑。本次展示於紐約州的GE研究中心完成，…
Littelfuse新一代汽車級柵極驅動器問世 強化SiC與IGBT控制效能 (2025.11.04)
隨著電動車（EV）動力總成與高效率電源系統快速發展，能精準控制功率半導體開關的柵極驅動器（Gate Driver）成為影響系統效能與可靠度的關鍵元件。Littelfuse 推出全新 IX4352NEAU 汽車級低壓側柵極驅動器，以滿足電動車…
兼顧小型化且對應大功率！ ROHM開始量產TOLL封裝SiC MOSFET (2025.10.28)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品（TO-263-7L）相比，散熱性提升約39%，雖然兼具小型…