HBM4挑戰內部缺陷 X-ray成先進封裝新關卡 (2026.09.16)
HBM4將AI記憶體競爭推向更複雜的3D異質整合。除了提高頻寬與堆疊容量，新一代HBM開始把DRAM Stack與Logic Base Die、TSV及先進封裝更緊密整合，製程中的微小Void、Bump異常、Bonding偏移或TSV缺陷，…
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HBM進入良率工程戰 3D檢測躍升AI記憶體關鍵設備 (2026.09.16)
AI晶片持續拉升HBM需求，記憶體競爭正在由容量、頻寬與傳輸速度，進一步深入「良率工程（Yield Engineering）」。隨著HBM從8層、12層往16層堆疊發展，TSV、Micro-bump與Bonding結構更加密集，任何單層DR…
HBM卡住中國AI自主化 台先進封裝迎新機會 (2026.09.11)
中國AI晶片自主化正進入更困難的下半場。華為、寒武紀、沐曦等業者持續推出國產AI加速器，逐步降低對NVIDIA依賴，但真正限制系統效能與量產規模的關鍵，已由單純GPU／NPU設計能力轉向HBM高頻寬記憶體。HBM也因此成為中國建立完整AI算…
突破AI算力微縮瓶頸 科林研發深耕先進封裝與在地生態系 (2026.09.09)
半導體製造面臨功耗與異質整合的嚴峻挑戰。科林研發（Lam Research）在 2026 會計年度中，科林研發全球營收達 232 億美元，研發投資規模達 24 億美元，展現其在製程技術創新的深厚底蘊。科林研發台灣區總經理郭偉毅博士於 SEM…
AI推升3D封裝需求 Qnity聚焦端到端材料整合 (2026.09.03)
全球半導體技術正由傳統的二維平面微縮，全面加速跨入高密度立體堆疊時代。隨著晶片互連結構更為精細、多晶粒整合面積與厚度增加，製程中的應力翹曲、介面平坦化與良率控制已成為關鍵瓶頸，使先進封裝材料從單純的輔助耗材，轉型為決定 AI 系統整體效能與…
AI記憶體供應鏈重組 SK海力士在美建立HBM封裝基地 (2026.08.28)
AI晶片供應鏈的在地化，正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體（HBM）。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地，投資逾40億美元，規畫2029年下半年開始量產下一代HBM，並且明確將HBM4E…
HBM4量產潮啟動 韓國半導體設備鏈迎來新成長週期 (2026.08.13)
AI伺服器持續推升高頻寬記憶體需求，2026年HBM市場正式由HBM3E跨入HBM4世代，產業成長紅利開始由三星電子、SK海力士等記憶體大廠，向韓國半導體設備供應鏈快速擴散。隨著HBM4進入量產，以及12層、16層堆疊技術持續演進，TC B…
「團戰」抗美韓 台灣記憶體產業靠客製化與邊緣AI殺出重圍 (2026.08.04)
面對美韓大廠在主流HBM與DDR5市場的強勢進擊，台灣記憶體產業改打「供應鏈團體戰」，透過全面轉向邊緣AI與車用等利基市場，發揮高整合度與深度客製化的晶片設計優勢，在AI時代開創出無可取代的成功之道。…
應材發表晶片製造新系統 加速先進封裝最佳化 (2026.07.01)
為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求，應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統，以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶（Epitaxy）系統、化學機械平坦化（CMP）與沉積系統、電子束系統（eBeam），挑…
聚焦3D晶片堆疊與異質整合 Qnity推出先進封裝線上創新平台 (2026.06.29)
啟諾迪電子公司（Qnity Electronics, Inc.）今日宣布推出「先進封裝線上創新平台」，展示其專為先進封裝設計的廣泛材料與技術解決方案，加速下一代AI、HPC、雲端與邊緣運算系統的發展。 隨著半導體產業超越摩爾定律，技術創新正…
工研院串聯台法半導體合作 深耕光電共封裝關鍵技術 (2026.06.29)
迎接AI資料中心高速互連的核心需求飛速成長，工研院今（29）日宣布，成功促成瑞峰半導體攜手法國新創NcodiN，共同投入奈米雷射光電共封裝關鍵技術研發，除了可望深化台灣在高速通訊與光電整合領域的技術布局，同時提升高效能運算（High Per…
Sony與imec推出高密度晶背連接模組 實現新一代3D晶片整合 (2026.06.17)
於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會上，比利時微電子研究中心（imec）與索尼（Sony）共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組，這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件。 該…
重新定義新一代感測設計方向 (2026.05.18)
ams OSRAM 如何透過 ASIC 客製化、晶片層級創新（in-silicon innovation）與先進封裝技術，為工業與醫療應用提供兼具可靠性、高效率與高效能的感測解決方案。…
美光開始提供256GB DDR5伺服器模組樣品 採用1-gamma製程技術 (2026.05.14)
美光推出 256GB DDR5 伺服器模組樣品…
從資料中心到先進封裝的散熱變革 (2026.05.12)
為了探討AI時代的散熱轉型，本文特別採訪了新思科技，以及Cadence。從物理模擬與系統級分析的角度，剖析如何為新一代AI基礎建設打造最堅實的散熱後盾。…
高頻記憶體如何重塑2026半導體版圖 (2026.02.24)
過去兩年間，我們見證了AI數據中心對大容量記憶體近乎瘋狂的渴求。這種需求不僅推升了SK海力士與三星的獲利表現，甚至引發了全球記憶體生產節奏的劇烈震盪。…
三星正式出貨商用HBM4 採用12層堆疊技術 (2026.02.12)
三星電子正式量產商用HBM4產品，並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程（1c），實現穩定良率，無需額外重新設計即順利完成。 三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46%。相較於前…
imec推出NanoIC製程設計套件 加速研發邏輯和記憶體微縮技術 (2026.02.03)
迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求，由比利時微電子研究中心（imec）協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片（NanoIC）試驗製程，持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新。近日更宣布推出兩套全新製程設計套件（PDK），包含用於先進邏輯微縮技…
DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品…
SoIC引領後摩爾定律時代：重塑晶片計算架構的關鍵力量 (2025.12.09)
SoIC不僅象徵後摩爾定律時代的技術方向，也代表台灣在全球技術競局中持續領先的關鍵力量。當全球算力需求加速成長，SoIC 將是推動未來十年半導體產業變革的核心引擎。…