1955年美国无线电公司（Radio Corporation of America）的Rubin Braunstein，首次发现了砷化镓（GaAs）在其他半导体合金中有红外线（Infrared）放射现象。 1961年德州仪器（Texas Instruments；TI）的实验人员Bob Biard and Gary Pittman发现砷化镓在通过电流时，会发出不可见光的红外光。 1962年通用公司（General Electric Company）的Nick Holonyak Jr.则开发出第一个应用的可见光发光二极体GaAsP。至此，根据 Haitz's Law（Dr. Roland Haitz）在过去三十四年的统计中，LED的光输出量将以每18～24个月增加两倍，到2025年LED将主导整个照明科技的市场。

LED 封装市场现况

2005年全球LED封装产值为67.13亿美元，较2004年成长11.5％，其中日本仍是LED的主要生产国占45.8％，台湾占17.5％在全球位居第二位。预估2006年全球LED封装将成长10.9％，产值将达74.95亿美元。预估未来两年仍将​​保持10％以上之成长率。
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