账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES / 文章 /
SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估
 

【作者: 意法半導體】2020年08月18日 星期二

浏览人次:【14529】

本文探讨如何在雪崩运作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。 MOSFET功率转换器,特别是电动汽车驱动马达功率转换器,需要能够耐受以前的运作条件。元件在续流导通期间出现的失效或闸极驱动命令讯号错误,确实会致使转换器功率开关二极体在雪崩条件下运作。因此,本文透过模拟雪崩事件,进行非钳位元感性负载开关测试,并使用不同的SiC MOSFET元件,依照不同的测试条件,评估技术的失效能量和鲁棒性。


引言

效能和可靠性是所有电子功率转换器必备的主要特性。在与人类社会活动和生态环境保护相关的应用领域,例如,交通、工业、能源转换等,标准矽基功率开关已被SiC MOSFET取代,因为 SiC MOSFET在电流密度/晶片面积、击穿电压、开关频率、工作温度方面表现更出色,可缩减功率转换器的体积和尺寸,同时提升效能[1],[2]。
...
...

另一名雇主 限られたニュース 文章閱讀限制 出版品優惠
一般使用者 10/ごとに 30 日間 0/ごとに 30 日間 付费下载
VIP会员 无限制 25/ごとに 30 日間 付费下载

相关文章
半导体产业未来的八大关键趋势
次世代汽车的车用微控制器
以数位共融计画缩短数位落差
汽车微控制器技术为下一代车辆带来全新突破
SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
相关讨论
  相关新闻
» SEMI出席半导体供应链论坛 强调信任、研发创新与人才连结3要素
» Discovery《台湾无比精采:AI 科技岛》即将首播 外宣台湾科技实力
» 意法半导体NB-IoT 与定位模组新功能获德国电信网路认证
» 意法半导体新款2合1 MEMS加速度计IMU 强化穿戴装置与运动追踪器侦测效能
» 意法半导体为资料中心与 AI 丛集提升高速光学互连效能


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK95T7R0FMOSTACUKU
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw