就产品品质和生产环境的清洁度而言，半导体产业是一个要求很高的产业。金属污染对晶片有害，所以应避免裸晶圆晶片上有金属污染。本文的研究目的是交流解决裸矽圆晶片上金属污染问题的经验，介绍如何使用互补性测量方法检测裸矽圆晶片上的少量金属污染物并找出问题根源，解释从多个不同的检测方法中选择适合方法的难度，以及用寿命测量技术检测污染物对热处理的依赖性。

前言

本文旨在解决矽衬底上的污染问题，将讨论三种不同的金属污染。第一个是镍扩散，又称为快速扩散物质[1]，它是从晶圆片边缘上的一个污点开始扩散的金属污染。第二个是铬污染，它是从Bulk体区内部扩散到初始氧化膜[2]，并在晶圆晶片上形成了一层较厚的氧化物。第三个是晶圆片边缘周围的不锈钢污染。本文的研究目的是根据金属和图1所示的污染特征找到污染的根源。
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