现今无线区域网路(Wireless Local Area Network；WLAN)发展渐趋成熟，应用也相当普及，世界各国几乎都在主要城市布建有密集的无线区域网路热点(hot spot)，随着笔记型电脑及携带式产品的普及化，无处不在的网路接取俨然成为新时代的趋势。由于无线资料传输需求急遽增加，新一代的IEEE 802.11n规格草案采用MIMO(Multiple Input Multiple Output)技术，希望将多路功率放大器(power amplifier；PA)整合在同一块晶片上，802.11n规格最大的特点为传输量需大于100 Mbps，而为了在同样的频宽下传输大量资料，新规格将OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)调变方法加以适度修正以增加其频谱效率(spectrum efficiency) ，如较高的编码速度(coding rate)、较短的防护区间(guard interval)、较大的星座尺寸(constellation size)等等，改良过后的调变方法使得802.11n功率放大器在线性度要求上，比起传统功率放大器来得更加严苛。

除了调变方法的改良之外，另一个接踵而来的挑战为MIMO收发机的架构问题，最新的802.11n规格草案采取2×2或是4×4的空间多工(spatial multiplexing)传输，希望借以将传输量提升2至4倍，同时基于降低成本的考量，我们希望能将多路功率放大器整合在同一块晶片上。然而，在大讯号操作下，功率放大器之间的讯号耦合效应尚未被验证，讯号干扰过大将使得原先之线性度条件更加恶化，截至目前为止，尚未发现有专门研究晶片上大讯号耦合效应的文献，少数相关文献尚停留在系统模拟的阶段[1]。因此，本文将设计对称布局的单晶片双矽锗功率放大器电路，目的在研究双功率放大器之间的耦合效应，并探讨其对线性度规格的影响。

802.11n之功率放大器设计
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