超高亮度Micro-LED突破绿光瓶颈 开启显示技术新纪元

根据《nature》期刊，氮化??Micro-LED阵列亮度突破10x7尼特，实现高达1080×780像素的高密度微型显示器。这一突破克服了晶圆级高质量磊晶生长、侧壁钝化、高效光子提取和精巧的键合技术等长期挑战，为AR/VR设备、可穿戴设备和下一代消费电子产品带来巨大优势。

图一 : 采晶圆级制造的GaN-on-Si Micro-LED显示器，解析达1080?×?780 像素，且具高亮度、高密度 (3400 ppi)性能（source:Nature）

这篇由 Vineeth K. Bandari 和Oliver G. Schmidt撰写的论中文指出，绿色Micro-LED的开发一直面临挑战，特别是当像素尺寸缩小到10μm以下时，实现高亮度和效率变得更加困难。这也是LED领域广泛存在的「绿色缺囗」现象的一部分，即绿色LED的性能落後於蓝光和红光LED。

近期，研究人员利用矽基板上晶圆级均匀氮化??磊晶层，开发出超高亮度绿色Micro-LED，实现高达3400ppi的像素密度和超过10?尼特(cd/m2)的亮度，取得了显着突破。
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