快捷半导体在PCIM China 发表功率电子技术演讲

快捷将在6-1~3日，於上海举办的PCIM China 2010展会上发表论文及演讲，阐述功率电子技术的最新发展现况和未来的发展趋势。

快捷专家Robert Krause将发表一篇题为《优化功率MOSFET和IGBT的共模和差模杂讯抑制》的论文，文中将把焦点集中在大功率MOSFET和IGBT在多相功率转换应用中的运作，以及如何优化抗杂讯能力，也会探讨使用光耦合MOSFET驱动器来提升栅极驱动电路的抗杂讯能力。

快捷专家张瑞??将发表题为《无位置感测器PMSM控制（Position Sensorless PMSM Control）的线上叁数评估》的文章，深入探讨用於永磁同步电机（PMSM）控制的一种叁数评估方法。另外，快捷在亚太区市场推广暨应用工程??总裁蓝建铜还将主持一场关於绝缘闸双极电晶体（IGBT）技术的研讨会。
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