在半导体制造过程中，晶圆清洗技术的精度直接影响晶片良率与性能。随着制程节点迈向28奈米及更先进技术，传统湿式清洗已无法满足需求，而高温硫酸过氧化混合物（SPM）设备因其优异的光刻胶去除与金属剥离能力，成为不可或缺的关键设备。近期，盛美半导体的单片晶圆高温SPM设备通过逻辑晶片大厂验证，并获全球13家客户采用，凸显其在先进制程中的重要性。

SPM是硫酸（H?SO?）与过氧化氢（H?O?）的混合溶液，在高温下具有极强氧化能力，能有效去除晶圆表面的光刻胶、有机污染物及金属残留。尤其在28奈米以下制程中，晶圆结构更精细，污染物若未彻底清除，将导致短路或电性失效。传统批次式SPM设备因温度控制不均与颗粒污染问题，逐渐被单片式高温SPM设备取代，後者能精准控制反应条件，并减少化学液浪费。

盛美半导体的设备采用多级加热系统，可将混合液温度稳定控制在230℃以上，适用於三种关键制程：

一、中低温清洗（90℃）：用於一般有机物去除。

二、高温光刻胶剥离（170℃）：解决先进制程中硬化光刻胶的难题。

三、超高温金属剥离（190℃）：应用於後段制程的金属层清洗。

在半导体制造中，即使微米级颗粒也可能导致晶片缺陷。盛美SPM设备的创新喷嘴设计能防止酸雾飞溅，将26奈米级颗粒数量控制在平均10颗以下，远优於行业标准。此外，其腔体自清洗功能与化学内联混合（CIM）系统，可减少维护频率，提升设备运作时间（uptime），降低生产成本。

随着逻辑晶片与记忆体制程持续微缩，对高温SPM设备的需求显着增加。据业界分析，5奈米以下制程需更严格的清洗精度，而SPM技术能与超音波清洗（如SAPS/TEBO技术）结合，进一步提升效果。

半导体技术的进步，使得湿式清洗设备必须兼具高效能与高稳定性。高温SPM设备凭藉其优异的污染物去除能力与颗粒控制，已成为先进制程的标配。未来，随着3D晶片堆叠与异质整合技术兴起，SPM设备的应用范围有??进一步扩大，持续支撑半导体产业的创新需求。