账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
恒忆、群联及海力士共同开发NAND内存方案
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年05月10日 星期日

浏览人次:【4174】

恒忆(Numonyx)、群联电子及海力士(Hynix)宣布签署合作协议,将根据新版JEDEC eMMC 4.4业界规格,共同开发新一代managed-NAND解决方案。这项合作计划可望加速推动业界最新的eMMC规格,有助于管理及简化高容量储存系统的需求,并提升无线及嵌入式应用的整体系统效能。

恒忆、群联及海力士NAND内存系统解决方案合作仪式
恒忆、群联及海力士NAND内存系统解决方案合作仪式

透过这项协议,恒忆、群联电子及海力士将运用各自的竞争优势,共同开发可搭配多种NAND闪存产品使用的控制器。群联电子将为恒忆及海力士独家提供共同开发的控制器,进一步强化各自NAND闪存系列解决方案。

eMMC为嵌入式非挥发性内存系统,内含闪存及闪存控制器。全新的MMC V4.4标准版本进一步强化了多项功能,包括双倍的内存接口效能、弹性的分区管理,以及改良的安全性选项。

三家公司过去已经累积相当成功的长期合作经验。2008年6月,海力士与群联宣布共同开发NAND应用技术以及供应NAND闪存。2008年8月,恒忆也与海力士针对NAND技术与产品签署共同开发协议。恒忆与群联也曾共同开发标准及强化型eMMC4.3解决方案,这些解决方案同时被纳入恒忆目前的产品中。预计结合群联的控制器、恒忆与海力士的NAND闪存所共同开发的产品,将于2009年底前上市。

此项合作案主要针对eMMC4.4产品,预计2009年底开发完成;目前合作案锁定手机为eMMC产品的第一个目标。

關鍵字: NAND内存  eMMC规格  恒忆、群联  Hynix 
相关新闻
SST和 SK hynix system ic合作扩大SuperFlash技术的供货范围
TrendForce:东芝分拆半导体业务以提升NAND Flash竞争力
日月光:AMD HBM技术让3D IC正式起飞
MIC提醒:韩系半导体业者动态 须密切注意
获利增 DRAM三阵营强化先进制程布局
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BMB93XV8STACUKU
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw