美商Vitesse、Inphi，以及已将OC-192（10Gbps）交由联电代工生产的AMCC，计划在年底前推出OC-768光通讯芯片。外界预料，随着产品需求的不同，上游原料磷化铟与硅化锗两项材料的竞争与使用情形将会更为白热化。

由于每家业者目前的产品进度虽不尽相同，但大部份都已预计最迟于明年初就可完成两类芯片的样品，部份公司甚至已计划将雷射二极管（LD）与光侦检器（Detector）芯片一并放入作成一模块。

一般所谓的光通讯芯片，其实内含有多块芯片，其中最主要为PMD（包括TIA、LIA与雷射二极管驱动IC）以及PMA（包括MUX、DeMux与FEC芯片）两部份。采磷化铟（InP）为材料生产OC-768光通讯芯片的GTran与Inphi两家公司，近期都已推出相关产品，并交由与GTran同样为G-Family Group成员的G.C.S.四吋InP厂进行代工。而同属于InP阵营的OC-768光通讯芯片公司还包括目前市占率最高为一九％的Vitesse，以及已和日本日立（Hitachi）子公司OpNext有策略联盟关系的Velocium等。

另一方面，OC-768光通讯芯片的另一阵营则是采用硅化锗（SiGe）为材料，目前进度最快的为才刚把OC-192光通讯芯片交由联电代工的AMCC（市占率一二％）以及ＩＢＭ，两家公司并已就共同开发新产品达成共识，AMCC的最新进度为今年底前即可完成采○．一八微米的硅化锗BiCMOS制程OC-768光通讯芯片。而英特尔（Intel）在确立OC-192芯片超过八成会交国内硅半导体晶圆专工厂生产后，未来采用SiGe的OC-768芯片也有意由国内代工。

而OC-768光通讯芯片两大阵营的激战，也反应在国内晶圆代工厂的开发进度上，以Ⅲ／Ⅴ半导体晶圆代工厂定位的几家业者包括稳懋半导体、全球联合通信与宏捷等，都已计划将现有的砷化镓（GaAs）代工层次，于二○○三年时提升至Inp代工。而既有的硅晶圆代工龙头厂台积电除已宣称可提供○．三五微米的硅化锗BiCMOS制程技术，也预计在二○○三年进一步升级至○．一八微米制程。

OC-768光通讯芯片两大阵营都计划在明年初推出产品，似将对全球已停滞近一年的光纤骨干网络市场注入一股活水，对此多数业者表示，OC-768光通讯芯片的市场需求量起飞时间最快仍二○○三年才见得到，不过从景气循环的角度来看，ＩＣ设计公司于此时投入恰可赶上进度。