美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 记忆体，采用 32Gb 单片晶粒，以高达 8,000 MT/s 的同类最隹效能支援当前和未来的资料中心工作负载。此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计，包含人工智慧（AI）、记忆体资料库（IMDBs）、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等。

美光的 1β（1-beta）技术，128GB DDR5 RDIMM 记忆体使用 32Gb DDR5 DRAM 晶粒，相比其他 3D 堆叠直通矽晶穿孔（TSV）产品具备下列优势：

· 位元容量提高超过 45%

· 能源效率提升高达 24%

· 延迟大幅降低 16%

· AI 训练效能提升高达 28%

美光 32Gb DDR5 记忆体解决方案选用创新晶粒架构，提供领先阵列效率和最密集的单片 DRAM 晶粒。电压领域和更新管理功能有助於完善电源网路，进而改善能源效率。此外，美光也将晶粒尺寸的深宽比最隹化，藉此提升 32Gb 大容量 DRAM 晶粒的制造效率。

透过 AI 驱动的智慧制造方式来实现世界级的创新，美光的 1β 技术制程节点创下史上最快的速度达成良率目标。美光的 128GB RDIMM 预计於 2024 年开始出货，可应用於搭载 4,800 MT/s、5,600 MT/s 和 6,400 MT/s 的平台，针对未来速度高达 8,000 MT/s 的平台也可适用。