工研院光电所日前宣布成功研发奈米级技术──穿隧巨磁电阻效应机制自旋晶体管（Spin transistor），该技术为我国自行研发，且磁电流变化率更是凌驾世界水平，目前正申请欧、美、日等国专利，预期将可带动台湾自旋电子产业发展，以争取广大商机。

中央社引述工研院副院长暨前瞻奈米计划总计划主持人杨日昌说法指出，自旋晶体管是透过电子具有自旋的特性来控制电流通过与否，进而产生类似晶体管的效应，并结合逻辑、开关、记忆、微磁感测等功能于一身，具有高积体密度、速度快及省能源等优点。

杨日昌指出，此次由光电所自行研发的「穿隧与金属巨磁电阻效应机制自旋晶体管」，可有效地在硅基版上结合磁阻组件与半导体p-n接面制作出自旋晶体管，利用电子于磁阻组件不同磁矩分布状态时，电子损失能量的多寡来决定是否有输出电流通过与否。

杨日昌强调，磁性应用在量产技术克服后，在半导体记录及抽取式超高密度记录技术即可广泛被推广使用 ，是一极具市场潜力的未来产品。未来光电所将持续投入自旋电子技术研发，使自旋晶体管可被广泛运用于磁头、RAM、逻辑电路及开关电源等领域，同时配合工业应用技术，创造科技新领域。