电气化正在推动SiC半导体的增长，由於其具备快速开关能力、更低的电源损耗和更高的温度效能，智慧移动、永续发展和工业等大型市场都趋向采用SiC电源解决方案。

Microchip推出全新MPLAB SiC电源模拟器，协助客户在设计阶段测试SiC电源解决方案

为协助电源设计工程师更轻松、快速和安心地过渡到SiC电源解决方案，Microchip Technology Inc.今日宣布推出MPLAB SiC电源模拟器，可在将设计提交给硬体之前，快速评估各种拓扑结构中的Microchip SiC电源元件和模组。

Microchip的MPLAB SiC电源模拟器是与Plexim合作设计的基於PLECS的软体环境，提供线上免费工具，无需购买模拟授权。MPLAB SiC电源模拟器加速了各种基於SiC的电源拓扑结构的设计过程。客户可以放心地在设计阶段对SiC解决方案进行测试和评估。

Microchip碳化矽业务部??总裁Clayton Pillion表示：「追求SiC技术的客户现在可以使用基於网路的MPLAB SiC电源模拟器，对设计进行效能测试并选择最适合的Microchip SiC产品。凭藉在碳化矽领域二十多年的深耕，Microchip为客户提供多样化的SiC电源解决方案，并可轻松与其他Microchip配套元件进行整合设计。」

新工具通过提供全面的SiC评估，不仅可以提供珍贵的测试资料，还可以减少元件选择时间，进而加快产品上市速度。如果一位电源电子设计师要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之间选择三相主动前端转换器，就可以立即得到如元件的平均电源耗散和峰值结温等模拟结果。

MPLAB SiC电源模拟器是OEM厂商为智慧移动、永续发展和工业应用设计电源系统的重要设计工具，相关应用包括电动汽车、车载/非车载充电、电源和电池储存系统等。

Microchip的SiC产品组合包括具有最低寄生电感（<2.9 nH）的行业领先的电源模组封装，以及具有最高额定电流的行业领先的3.3 kV分离式MOSFET和二极体。组合内其他产品还包括700V、1200V和1700V的晶片、分离元件和模组，以及AgileSwitchR可配置数位栅极驱动器。

这些SiC元件具有耐用性和优异效能，可提供预计超过100年的栅极氧化物寿命和无退化体二极体。在大功率应用中，SiC技术比矽绝缘栅双极电晶体（IGBT）具有更高的系统效率、功率密度和温度稳定性。