根据中央社报导，工研院电子所与化工所宣布已成功合作开发出国内首创的单层奈米碳管（SWNT）定位成长技术。该技术采用与现有半导体制程兼容之材料与制程，具备与IC整合的潜力，可直接制作在 4至8吋硅芯片基板上。

电子所所长徐爵民表示，单层奈米碳管定位成长技术是电子所继去年制造出国内第一颗P型与N型奈米碳管场效晶体管（CNT FET）后，又一前瞻技术的研发成功，可有效解决现有涂布方式进行的奈米碳管场效晶体管位置无法准确控制的问题，并可提升对于需求组件高良率的产业应用层面，以及进一步整合到IC上的应用技术。

电子所奈米电子组件技术组组长蔡铭进指出，此一新技术由化工所进行奈米碳管成长层（内含触媒）配方之开发与碳管成长参数之调整；电子所负责定位成长制程之设计、整合以及成长试片制作，开发出的碳管具有金属性或半导体性，在作为高效能金属连接线以及作为奈米碳管晶体管数组之用方面极具可行性。

徐爵民指出，在各种奈米晶体管的技术研发中，由于奈米碳管具有高导热度、高导电度、高电流承载能力和奈米级尺寸等特性，以其为基本组件架构的相关技术发展迅速，其应用之可行性也广为研究人员所看好，预期将成为未来奈米级IC产品的最佳材料之一。