国际整流器（International Rectifier，IR）推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，当中包括能够提供最低导通电阻（RDS(on)）的IRFH6200TRPbF。

IR推出采用PQFN封装20V、25V及30V MOSFET

这些新功率MOSFET具备IR最先进的硅技术，亦是该公司首批采用5x6mm PQFN封装，并配备经优化的铜钳和焊接芯片的组件。IRFH6200TRPbF 20V组件提供的（RDS(on)），在4.5V Vgs下最高也只为1.2mΩ，有助手动工具等DC马达驱动驱动应用显著减低传导损耗。

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF这两款组件都是为DC开关应用，例如要求高电流承载能力和高效率的有源ORing及DC马达驱动应用而设计。IRFH5250TRPbF具备极低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且闸电荷（Qg）仅为52nC。至于IRFH5300TRPbF的RDS(on)则最高只有1.4mΩ，而Qg就有50nC。

如果设计采用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF组件，不单能够拥有卓越的温度性能，还可以在指定的功率损耗下，比现有的解决方案使用较少的零件，有助节省电路板空间及成本。

所有这些新组件都具备低温度电阻（