英飞凌（infineon）近日宣布，推出采用TO无铅封装的汽车电源MOSFET系列产品。新型 40V OptiMOS T2 MOSFET结合创新的封装技术及英飞凌的薄晶圆制程技术，拥有同级产品最佳规格。英飞凌采用扩散焊接黏晶技术所生产的无铅封装包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由于封装几何方面对于晶粒焊垫厚度与芯片尺寸的特殊要求，现今扩散焊接粘晶技术仅适用于上述三种英飞凌所提供的封装形式，OptiMOS T2 系列产品的量产已准备就绪。

TO无铅封装的汽车电源MOSFET

英飞凌的MOSFET新系列产品超越了现行欧盟RoHS对于含铅焊锡封装的规范。更严格的ELV RoHS标准可能将于2014年施行，届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为首款无铅封装MOSFET，英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。

英飞凌专利的无铅黏晶（die attach）技术采用扩散焊接，可提升电性与散热表现、可制造性以及质量。