IR于日前宣布，推出扩展HEXFETR功率的MOSFET产品系列，提供完整的中压组件阵营。它们采用5x6 mm PQFN封装，并具有经过优化的铜夹和焊接芯片技术。

IR推出扩展中压功率MOSFET产品系列

MOSFET采用了IR最新的硅技术，能够提供开关应用所需要的标准效能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及马达驱动开关。由于这些组件能够支持40V到250V的宽广电压，所以能够提供不同水平的通态电阻（RDS(on)）和闸极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化效能和体现更低的成本。

IR表示，各款组件皆具有低热阻（少于0.5 °C/W），又符合MSL1 标准，采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令（RoHS）。