Digi-Key与Cree宣布，Digi-Key已开始进货Cree针对通用微波应用的氮化镓 (GaN)HEMT晶体管。使Digi-Key的Cree产品线包含SiC电源零组件、SiC MESFET、高亮度及高功率 LED，以及现在的GaNHEMT晶体管。

Cree的GaN HEMT general-purpose transistors之功率位准范围为10W至90W，

适用要求高效率、多阶带宽效能之多微波应用。这些晶体管于小型封装接

脚占位内提供达6GHz 的高频效能、高增益、及低寄生电容，而能造就小型、更轻及更具能源效率的系统，相较于其他微波晶体管技术，其通常具备更少的放大器零组件。